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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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200 V/11 mΩ/110 A N-MOSFET DSE108N20NA TO-263 DSE108N20NA TO-263 200V 110A Donghai_DSE108N20NA_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET de puissance DH033N04 TO-220C, Mode d'amélioration du canal N, 120A, 40V DH033N04 TO-220C 40V 120A Spécification de l'appareil DH033N04.pdf
MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal N 160A 30V DH020N03P 5x6-8 DH020N03P DFN5X6 30V 160A Spécifications de l'appareil DH020N03P.pdf
MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N, 180A, 40V, DHS021N04 TO-220C DHS021N04 TO-220C 40V 180A Donghai+DHS021N04&DHS021N04E+Fiche technique+V3.0.pdf
Régulateur de tension à trois bornes IC L7808 TO-220M L7808 TO-220M 8V 8mA 英文版L78XX技术规格书.pdf
Diode SchottkyBarrier 20A 100V MBRF20100CT TO-220F MBRF20100CT TO-220F 100V 20A Fichier MBRF20100CT技术规格书REV1.0.pdf
85V/0,9mΩ/360A N-MOSFET DSU011N08N3A PÉAGE DSU011N08N3A SONNER 85V 360A Donghai_DSU011N08N3A_Datasheet_V1.0.pdf
transistor bipolaire G50T65DS TO-247S de porte isolée par Trenchstop de 50A 650V G50T65DS TO-247S 650V 50A G50T65DS_fiche technique.pdf
MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N 15A 100V DH850N10B TO-251B DH850N10B TO-251B 100V 15A Spécifications de l'appareil DH850N10.pdf
Diode barrière Schottky SiC 40A 650V DCC40D65G4 TO-247-3 DCC40D65G4 TO-247 650V 40A Spécification de l'appareil DCC40D65G4.pdf
DSG041N08NA TO-220C DSG041N08NA TO-220C 85V 180A Appareil+DSG041N08NA+Spécification+Rev.1.0.pdf
Régulateur de tension à trois bornes IC L7809 TO-220M L7809 TO-220M 9V 8mA 英文版L78XX技术规格书.pdf
Régulateur de tension à trois bornes IC L7805CV TO-220M L7805CV TO-220M 5V 8mA 英文版L78XX技术规格书.pdf
Diode barrière Schottky SiC 20A 650V DCGT20D65G4 TO-220-2L DCGT20D65G4 TO-220-2 650V 20A Spécifications de l'appareil DCGT20D65G4.pdf
MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N, 100A, 40V, DSP018N04LA DFN5X6, paquet DSP018N04LA DFN5X6 40V 100A Donghai_ DSP018N04LA _DataSheet_V1.0.pdf
100V 140A N-MOSFET DSG054N10N3 TO-220C DSG054N10N3 TO-220C 100V 140A Donghai_DSG054N10N3&DSE054N10N3_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal N 9A 900V 9N90 TO-3PN 9N90 TO-3PN 900V 9A Livre 9N90 3PN.pdf
Paquet péage 40 V/0,5 mΩ/360AN-MOSFET DSU007N04NA DSU007N04NA SONNER 40V 360A Donghai_DSU007N04NA_Datasheet_V1.0.pdf
Diode SchottkyBarrier basse 10A 150V MBR10R150CT TO-220C MBR10R150CT TO-220C 150V 10A Fichier MBR10R150CT.pdf
80 V/3,4 mΩ/100 A N-MOSFET DSP037N08N3 DFN5X6 DSP037N08N3 DFN5*6-8 80V 100A Donghai_DSP037N08N3_Datasheet_V1.0.pdf

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