未命名(1)(8) (1)
brama
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jesteś tutaj: Dom » Produkty
Model:
Pakiet:
V:
A:
WYBRANE LINIE PRODUKTOWE:

Wszystkie produkty

Obraz Model Pakiet V A Karta katalogowa Szczegóły Zapytanie Dodaj do koszyka
61A 60V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH16N06 TO-220C DH16N06 TO-220C 60 V 61A Specyfikacja urządzenia DH16N06.pdf
-30A -60V Tryb wzmocnienia kanału P Moc MOSFET DH400P06LD TO-252B DH400P06LD TO-252B -60 V -30A DH400P06LD i DH400P06LB_Arkusz danych_V2.0.pdf
240A 100 V tryb wzmocnienia kanału N MOSFET mocy DHS025N10 TO-220C DHS025N10 TO-220C 100 V 240A Specyfikacja urządzenia DHS025N10.pdf
Dioda szybkiego odzyskiwania 16A 400V MUR1640CT TO-220M MUR1640CT TO-220M 400 V 16A 英文版MUR1640CT技术规格书REV1.0.pdf
112A 68V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH100N06 TO-220C DH100N06 TO-220C 68 V 112A DH100N06_Datasheet_V3.0.pdf
7A 700V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET F7N70 TO-220F F7N70 TO-220F 700 V 7A 英文版F7N70技术规格书.pdf
120A 80V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DSG047N08N3/DSE047N08N3 TO-220C i TO-263 DSG047N08N3 TO-220C 80 V 120A DSG047N08N3&DSE047N08N3_Arkusz danych_V1.0.pdf
20A 100V Schottky'egoDioda barierowa MBRA20100CT TO-220M MBRA20100CT
Tryb wzmocnienia kanału N Moc MOSFET 4A 1500V DH4N150B TO-247 DH4N150B TO-247 1500 V 4A 英文版DH4N150B 技术规格书.pdf
300A 40V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DHS010N04U PAKIET OPŁAT DHS010N04U MYTO 40 V 300A DHS010N04U_Arkusz danych_V1.0.pdf
36A 1200V N-kanałowy MOSFET mocy SIC DCC080M120A TO-247-3L DCC080M120A TO-247 1200 V 36A Specyfikacja urządzenia DCC080M120A.pdf
210A 60V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET N6005/FN6005/EN6005 N6005 TO-220C 60 V 180A Specyfikacja urządzenia N6005B40.pdf
30A 60V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DHZ24 TO-220C DHZ24 TO-220C 60 V 30A Specyfikacja urządzenia DHZ24B31.pdf
40A 60V Tryb wzmocnienia kanału P Moc MOSFET DH400P06 TO-220C DH400P06 TO-220C 60 V 40A Specyfikacja urządzenia DH400P06.pdf
Tryb wzmocnienia kanału N Moc MOSFET 100A 68V DH060N07B TO-251B DH060N07B TO-251B 68 V 100A Specyfikacja urządzenia DH060N07D.pdf
10A 500V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET F10N50 TO-220F F10N50 TO-220F 500 V 10A 英文版F10N50 技术规格书(1).pdf
90A 80V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DHD80N08 TO-252B DHD80N08 TO-252B 80 V 90A Specyfikacja urządzenia DHD80N08.pdf
Epitaksjalny tranzystor krzemowy NPN 2SD882 TO-126 2SD882 TO-126 40 V 3A 英文版D882技术规格书.pdf
Tryb wzmocnienia kanału N Moc MOSFET 120A 85V DHS045N88 TO-220C DHS045N88 TO-220C 85 V 120A Specyfikacja urządzenia DHS045N88-Rev.1.0.pdf
20A 650V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET 20N65D TO-3P 20N65D TO-3PN 650 V 20A 英文版20N65D 技术规格书REV1.0.pdf

Film o produkcie

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Zapisz się na nasz newsletter
  • przygotuj się na przyszłość
    zapisz się do naszego newslettera, aby otrzymywać aktualizacje prosto na swoją skrzynkę odbiorczą
    Składać
Prawa autorskie © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technologia firmy leadong.com