brama
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jesteś tutaj: Dom » Produkty
Model:
Pakiet:
V:
A:
WYBRANE LINIE PRODUKTOWE:

Wszystkie produkty

Obraz Model Pakiet V A Karta katalogowa Szczegóły Zapytanie Dodaj do koszyka
200V/11mΩ/110A N-MOSFET DSE108N20NA TO-263 DSE108N20NA TO-263 200 V 110A Donghai_DSE108N20NA_Datasheet_V1.0.pdf
120A 40V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH033N04 TO-220C DH033N04 TO-220C 40 V 120A Specyfikacja urządzenia DH033N04.pdf
160A 30V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH020N03P 5x6-8 DH020N03P DFN5X6 30 V 160A Specyfikacja urządzenia DH020N03P.pdf
180A 40V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DHS021N04 TO-220C DHS021N04 TO-220C 40 V 180A Donghai+DHS021N04&DHS021N04E+karta katalogowa+V3.0.pdf
Trójzaciskowy regulator napięcia IC L7808 TO-220M L7808 TO-220M 8 V 8mA 英文版L78XX技术规格书.pdf
20A 100V Schottky'egoDioda barierowa MBRF20100CT TO-220F MBRF20100CT TO-220F 100 V 20A Podręcznik MBRF20100CT 技术规格书REV1.0.pdf
85V/0,9mΩ/360A N-MOSFET DSU011N08N3A OPŁATA DSU011N08N3A MYTO 85 V 360A Donghai_DSU011N08N3A_Arkusz danych_V1.0.pdf
50A 650 V Tranzystor bipolarny z izolowaną bramką Trenchstop G50T65DS TO-247S G50T65DS TO-247S 650 V 50A G50T65DS_datasheet.pdf
15A 100V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH850N10B TO-251B DH850N10B TO-251B 100 V 15A Specyfikacja urządzenia DH850N10.pdf
Dioda barierowa Schottky'ego 40A 650 V SiC DCC40D65G4 TO-247-3 DCC40D65G4 TO-247 650 V 40A Specyfikacja urządzenia DCC40D65G4.pdf
DSG041N08NA TO-220C DSG041N08NA TO-220C 85 V 180A Urządzenie+DSG041N08NA+Specyfikacja+Rev.1.0.pdf
Trójzaciskowy regulator napięcia IC L7809 TO-220M L7809 TO-220M 9V 8mA 英文版L78XX技术规格书.pdf
Trójzaciskowy regulator napięcia IC L7805CV TO-220M L7805 CV TO-220M 5 V 8mA 英文版L78XX技术规格书.pdf
Dioda barierowa Schottky'ego 20A 650 V SiC DCGT20D65G4 TO-220-2L DCGT20D65G4 TO-220-2 650 V 20A Specyfikacja urządzenia DCGT20D65G4.pdf
100A 40V N-kanałowy tryb wzmocnienia MOSFET mocy DSP018N04LA PAKIET DFN5X6 DSP018N04LA DFN5X6 40 V 100A Donghai_ DSP018N04LA _DataSheet_V1.0.pdf
100V 140A N-MOSFET DSG054N10N3 TO-220C DSG054N10N3 TO-220C 100 V 140A Donghai_DSG054N10N3&DSE054N10N3_Arkusz danych_V1.0.pdf
9A 900V N-kanałowy tryb wzmocnienia MOSFET mocy 9N90 TO-3PN 9N90 TO-3PN 900 V 9A 英文版9N90 3PN技术规格书.pdf
Pakiet TOLL 40V/0,5mΩ/360AN-MOSFET DSU007N04NA DSU007N04NA MYTO 40 V 360A Donghai_DSU007N04NA_Datasheet_V1.0.pdf
10A 150V NISKA dioda Schottky'ego Barrier MBR10R150CT TO-220C MBR10R150CT TO-220C 150 V 10A 英文版MBR10R150CT技术规格书.pdf
80 V/3,4 mΩ/100 A N-MOSFET DSP037N08N3 DFN5X6 DSP037N08N3 DFN5*6-8 80 V 100A Donghai_DSP037N08N3_Datasheet_V1.0.pdf

Film o produkcie

  • Zapisz się na nasz newsletter
  • przygotuj się na przyszłość
    zapisz się do naszego newslettera, aby otrzymywać aktualizacje prosto na swoją skrzynkę odbiorczą