未命名(1)(8) (1)
brama
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jesteś tutaj: Dom » Produkty
Model:
Pakiet:
V:
A:
WYBRANE LINIE PRODUKTOWE:

Wszystkie produkty

Obraz Model Pakiet V A Karta katalogowa Szczegóły Zapytanie Dodaj do koszyka
13N50AH1/F13N50AH1/I13N50AH1/E13N50AH1
320A 30V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH012N03D TO-252B DH012N03D TO-252B 30 V 320A Specyfikacja urządzenia DH012N03.pdf
Tryb wzmocnienia kanału N Moc MOSFET 180A 40V DHS020N04D TO-252B DHS020N04D TO-252B 40 V 180A Specyfikacja urządzenia DHS020N04D.pdf
320A 30V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH012N03 TO-220C DH012N03 TO-220C 30 V 320A Specyfikacja urządzenia DH012N03.pdf
-30A -60V Tryb wzmocnienia kanału P Moc MOSFET DH300P06D TO-252B DH300P06D TO-252B -60 V -30A Specyfikacja urządzenia DH300P06.pdf
35A 120 V tryb wzmocnienia kanału N MOSFET mocy DSD270N12N3 TO-252B DSD270N12N3 TO-252B 120 V 35A Urządzenie+DSD270N12N3+Specyfikacja+Rev.1.0.pdf
105A 68V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DHS055N07E TO-263 DHS055N07E TO-263 68 V 105A Donghai+DHS055N07 i DHS055N07E+karta katalogowa+V2.0.pdf
310A 20V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH009N02 TO-220C DH009N02 TO-220C 20 V 310A Specyfikacja urządzenia DH009N02.pdf
60A 30V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH081N03D TO-252B DH081N03D TO-252B 30 V 60A Specyfikacja urządzenia DH081N03.pdf
4A 650 V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET D4N65 TO-252B D4N65 TO-252B 650 V 4A 英文版D4N65技术规格书REV1.0.pdf
600A 650V Moduł półmostkowy IGBTModule DGD600H65M2T PAKIET EconoDUAL3 DGD600H65M2T EconoDUAL3 650 V 600A DGD600H65M2T REV1.0.pdf
30A 30V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH081N03R DFN3*3-8 DH081N03R DFN3*3-8 30 V 30A Specyfikacja urządzenia DH081N03R.pdf
Dioda szybkiego odzyskiwania 16A 600V MUR1660CT TO-220M MUR1660CT TO-220M 600 V 16A Pliki MUR1660CT i MURF1660CT 技术规格书.pdf
41A 650V N-kanałowy MOSFET mocy SIC DCCF060M65G2 TO-247 DCCF060M65G2 TO-247-4L 650 V 41A DCC060M65G2 i DCCF060M65G2_Arkusz danych_V1.0.pdf
60A 68V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DHF50N06 TO-220F DHF50N06 TO-220F 68 V 60A Specyfikacja urządzenia 50N06B34.pdf
400A 650V Moduł półmostkowy IGBTModule DGD400H65M2T PAKIET EconoDUAL3 DGD400H65M2T EconoDUAL3 650 V 400A DGD400H65M2T REV1.0.pdf
450A 1200V Moduł półmostkowy IGBTModule DGD450H120L2T PAKIET EconoDUAL3 DGD450H120L2T EconoDUAL3 1200 V 450A DGD450H120L2TREV1.1.pdf
MOSFET mocy 320 A, 20 V z kanałem N, w trybie wzmocnienia DH009N02U
Dioda szybkiego odzyskiwania 10A 400V MUR1040 TO-220-2L MUR1040 TO-220-2L 400 V 10A 英文版MUR1040技术规格书.pdf
205A 85V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DHS025N88 TO-263 DHS025N88E TO-263 85 V 205A Specyfikacja urządzenia DHS025N88.pdf

Film o produkcie

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Zapisz się na nasz newsletter
  • przygotuj się na przyszłość
    zapisz się do naszego newslettera, aby otrzymywać aktualizacje prosto na swoją skrzynkę odbiorczą
    Składać
Prawa autorskie © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technologia firmy leadong.com