未命名(1)(8) (1)
brama
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jesteś tutaj: Dom » Produkty
Model:
Pakiet:
V:
A:
WYBRANE LINIE PRODUKTOWE:

Wszystkie produkty

Obraz Model Pakiet V A Karta katalogowa Szczegóły Zapytanie Dodaj do koszyka
80A 60V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DATD063N06N TO-252B DATD063N06N TO-252B 60 V 80A Urządzenie+DATD063N06N+Specyfikacja Rev.1.0.pdf
Moduł półmostkowy 50A 650V Moduł IGBT DGA50H65M2T 34mm DGA50H65M2T 34 mm 650 V 50A DGA50H65M2T.pdf
11A 650V N-kanałowy superzłącze mocy MOSFET DHSJ11N65 TO-220C DHSJ11N65 TO-220C 650 V 11A Urządzenie DHSJ11N65Specyfikacja(S).pdf
25A 100 V tryb wzmocnienia kanału P MOSFET mocy DH100P25D TO-252B DH100P25D TO-252B -100 V -25A Specyfikacja urządzenia DH100P25.pdf
100A 60V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH066N06 TO-220C DH066N06 TO-220C 60 V 100A Donghai_DH066N06D_Datasheet_V2.0.pdf
18A 100 V tryb wzmocnienia kanału P moc MOSFET DH100P18B TO-251B DH100P18B TO-251B 100 V 18A Urządzenie DH100P18 B79 Specyfikacja.pdf
31A 600V N-kanałowy MOSFET mocy z superzłączem DJC099N60F/DJF099N60F
150A 1200V Moduł półmostkowy DGB150H120L2T 62mm DGB150H120L2T 62mm 1200 V 150A DGB150H120L2T(1).pdf
250A 1200V Moduł półmostkowy IGBTModule DGB250H120L2T 62mm DGB250H120L2T 62mm 1200 V 250A DGB250H120L2T-REV1.1.pdf
Dioda barierowa SiC Schottky'ego 10A 650V DCE10D65G4 TO-263 650 V 10A Specyfikacja urządzenia DCE10D65G4.pdf
Tryb wzmocnienia kanału N Moc MOSFET 145A 60V DH045N06D TO-252B DH045N06 TO-220C 60 V 145A Specyfikacja urządzenia DH045N06.pdf
50A 1200V PIM w jednym pakiecie Moduł IGBT DGC50C120M2T Econo PIM2 DGC50C120M2T Econo PIM2 1200 V 50A DGC50C120M2T-REV1.0.pdf
MOSFET mocy w trybie N, 60 A, 20 V DH048N02B/DH048N02D
MOSFET mocy z super złączem N, 12 A, 700 V DJF360N70
25A 100V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET D25N10 TO-252B D25N10 TO-252B 100 V 25A Specyfikacja urządzenia 25N10.pdf
Prostownik sterowany krzemem seria 600 V / 800 V 12A BT151 TO-220M BT151 TO-220M 600 V/800 V 12A Wersja BT151-Rev. 1.2 技术规格书 BT151(252).pdf
Seria TRIAC 600V/800V 8A BT137-600E TO-220M BT137-600E TO-220M 600 V/800 V 8A 英文版BT137-600E 技术规格书触发H.pdf
120A 40V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DHS021N04D TO-252B DHS021N04D TO-252B 40 V 120A Donghai+DHS021N04D+karta katalogowa+V3.0.pdf
Seria TRIAC 600V/800V 4A BT136-600E TO-220M BT136-600E TO-220M 600 V/800 V 4A 英文版BT136技术规格书REV1.2.pdf
Trójzaciskowy regulator napięcia IC DHD7806 TO-220M DHD7806 TO-220M 6 V 8mA 英文版L78XX技术规格书.pdf

Film o produkcie

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Zapisz się na nasz newsletter
  • przygotuj się na przyszłość
    zapisz się do naszego newslettera, aby otrzymywać aktualizacje prosto na swoją skrzynkę odbiorczą
    Składać
Prawa autorskie © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technologia firmy leadong.com