brama
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jesteś tutaj: Dom » Produkty » MOSFET » 400 V-1500 V N-MOS » DH16N65

załadunek

Udostępnij:
przycisk udostępniania na Facebooku
przycisk udostępniania na Twitterze
przycisk udostępniania linii
przycisk udostępniania wechata
przycisk udostępniania na LinkedIn
przycisk udostępniania na Pintereście
przycisk udostępniania WhatsApp
udostępnij ten przycisk udostępniania

DH16N65

16A 650V N-kanałowy tryb wzmocnienia MOSFET mocy
Dostępność:
Ilość:

16A 650V N-kanałowy MOSFET mocy w trybie wzmocnienia

1 Opis

Te krzemowe vdmosfety wzmocnione kanałem N są uzyskiwane dzięki technologii samonastawnej planarnej, która zmniejsza

utrata przewodzenia, poprawa wydajności przełączania i zwiększenie energii lawinowej. Co jest zgodne ze standardem RoHS.

2 funkcje

● Szybkie przełączanie

● Niski opór (Rdson≤0,6Ω)

● Niski ładunek bramki (typ: 47nC)

● Niskie pojemności transferu zwrotnego (typ: 33pF)

● 100% test energii lawinowej w pojedynczym impulsie

● Test 100% ΔVDS

3 aplikacje

● Stosowany w różnych obwodach przełączania mocy w celu miniaturyzacji systemu i wyższej wydajności.

● Obwód wyłącznika zasilania adaptera i ładowarki.


VDSS RDS(wł.)(TYP) ID
650 V 0,5 Ω 16A


Poprzedni: 
Następny: 
  • Zapisz się na nasz newsletter
  • przygotuj się na przyszłość
    zapisz się do naszego newslettera, aby otrzymywać aktualizacje prosto na swoją skrzynkę odbiorczą