Dh16n65

16A 650V N Kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET

1 Açıklama

Bu silikon n-kanallı geliştirilmiş VDMOSFET'ler, kendi kendine hizalanmış düzlemsel teknoloji ile elde edilir.

İletim kaybı, anahtarlama performansını iyileştirin ve çığ enerjisini artırın. ROHS standardı ile uyumludur.

2 Özellik

● Hızlı anahtarlama

● Direnç düşük (rdson≤0.6Ω)

● Düşük kapı şarjı (tip: 47NC)

● Düşük ters transfer kapasitansları (tip: 33pf)

●% 100 tek nabız çığ enerji testi

●% 100 ΔVDS testi

3 Uygulama

● Sistem minyatürleştirme ve daha yüksek verimlilik için çeşitli güç anahtarlama devresinde kullanılır.

● Adaptör ve şarj cihazının güç anahtarı devresi.

VDSS	RDS (ON) (tip)	İD
650V	0.5Ω	16a