DH16N65

16A 650V N-kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET

1 Açıklama

Bu silikon N-kanalı geliştirilmiş vdmosfet'ler, kendi kendine hizalanan düzlemsel teknolojiyle elde edilir ve bu teknoloji,

İletim kaybı, anahtarlama performansını artırır ve çığ enerjisini artırır. RoHS standardına uygundur.

2 Özellikler

● Hızlı geçiş

● Düşük direnç (Rdson≤0,6Ω)

● Düşük geçit şarjı (Tip: 47nC)

● Düşük ters transfer kapasitansları (Tip: 33pF)

● %100 tek darbeli çığ enerjisi testi

● %100 ΔVDS testi

3 Uygulama

● Sistemin minyatürleştirilmesi ve daha yüksek verimlilik için çeşitli güç anahtarlama devrelerinde kullanılır.

● Adaptörün ve şarj cihazının güç anahtarı devresi.

VDSS	RDS(açık)(TİP)	İD
650V	0,5Ω	16A