DH16N65

16A 650V N-canale Enhancement Modus Power MOSFET

1 Description

Haec Pii N-canalis vdmosfets aucta, a technologia planaria auto-aligna facta obtinetur, quae thecam minuunt

conductio damnum, emendare mutandi perficiendi et augendae NIVIS energiae. Quod congruit cum RoHS vexillum.

2 Features

Fast commutatione

Minimum resistente (Rdson≤0.6Ω)

Praefectum portae Minimum (Typ: 47nC)

Minimum contra capacitates translationis (Typ: 33pF)

C% unius pulsus NIVIS industria test

C% VDS test

III Applications

● In variis potentiae mutandi circuitionibus ad systema miniaturizationis et efficientiae altioris adhibitum.

● Virtutis ambitum nibh ac patina commutandum.

VDSS	RDS(on)(TYP)	ID
650V	0.5Ω	16A