DH16N65

16A 650V N-Chaneli ya Uboreshaji wa Njia ya Nguvu ya MOSFET

1 Maelezo

Vdmosfets hizi za silicon N-channel zilizoboreshwa, hupatikana kwa teknolojia ya sayari iliyojipanga ambayo hupunguza

upotevu wa upitishaji, kuboresha utendaji wa kubadili na kuongeza nishati ya Banguko. Ambayo inalingana na kiwango cha RoHS.

2 Sifa

● Kubadilisha haraka

● Upinzani mdogo (Rdson≤0.6Ω)

● Chaji ya chini ya lango (Aina: 47nC)

● Uwezo wa chini wa uhamishaji wa kinyume (Aina: 33pF)

● Jaribio la 100% la nishati ya mpigo mmoja

● Jaribio la ΔVDS la 100%.

3 Maombi

● Hutumika katika saketi mbalimbali za kubadili nishati kwa ajili ya uboreshaji mdogo wa mfumo na ufanisi wa juu zaidi.

● Saketi ya kubadili nguvu ya adapta na chaja.

VDSS	RDS(imewashwa)(TYP)	ID
650V	0.5Ω	16A