DH16N65

16 A 650 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET

1 Beschreibung

Diese Silizium-N-Kanal-verstärkten VDMOSFETs werden durch die selbstausrichtende Planartechnologie erhalten, die die reduziert

Leitungsverlust, verbessern die Schaltleistung und erhöhen die Lawinenenergie. Was dem RoHS-Standard entspricht.

2 Funktionen

● Schnelles Umschalten

● Niedriger Einschaltwiderstand (Rdson≤0,6Ω)

● Geringe Gate-Ladung (Typ: 47 nC)

● Geringe Rückübertragungskapazitäten (Typ: 33 pF)

● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest

● 100 % ΔVDS-Test

3 Anwendungen

● Wird in verschiedenen Leistungsschaltkreisen zur Systemminiaturisierung und höheren Effizienz verwendet.

● Netzschalter-Stromkreis von Adapter und Ladegerät.

VDSS	RDS(ein)(TYP)	AUSWEIS
650V	0,5 Ω	16A