DH16N65

16A 650V N-channel وضع تعزيز الطاقة MOSFET

1 الوصف

يتم الحصول على vdmosfets المعززة بقناة N السيليكونية هذه من خلال تقنية المستوى الذاتي الانحياز والتي تقلل من

فقدان التوصيل، وتحسين أداء التبديل وتعزيز الطاقة الانهيار. والذي يتوافق مع معيار RoHS.

2 الميزات

● التبديل السريع

● مقاومة منخفضة (Rdson≥0.6Ω)

● شحن البوابة منخفض (النوع: 47nC)

● سعات نقل عكسي منخفضة (النوع: 33pF)

● اختبار طاقة الانهيار الجليدي بنبضة واحدة بنسبة 100%

● اخت653a55145c58a5=اتصل بنا

3 تطبيقات

● يستخدم في دوائر تبديل الطاقة المختلفة لتصغير النظام وزيادة الكفاءة.

● دائرة تبديل الطاقة للمحول والشاحن.

VDSS	RDS (تشغيل) (TYP)	بطاقة تعريف
650 فولت	0.5Ω	16 أ