DH16N65

16A 650V N-ալիքի ուժեղացման ռեժիմ Power Mosfet

1 Նկարագրություն

Այս սիլիկոնային N- հեռուստաալիքը բարելավված VDMosfets, ստացվում է ինքնահավասարեցված Planar տեխնոլոգիայով, որը նվազեցնում է

Իրականացման կորուստ, բարելավել անջատիչ կատարումը եւ բարձրացնել ավալանշ էներգիան: Որը համաձայնեցնում է RoHS ստանդարտին:

2 առանձնահատկություններ

● արագ անցում

● Low ածր դիմադրություն (RDSON≤0.6ω)

● ցածր դարպասի լիցքավորում (մուտք: 47NC)

● Հակադարձ փոխանցման հզորացում (տպագիր, 33pf)

● 100% միայնակ զարկերակային ավալանշի էներգիայի թեստ

● 100% δvds թեստ

3 դիմում

● Օգտագործվում է տարբեր էլեկտրական անջատման միացում համակարգի մանրանկարչության եւ ավելի բարձր արդյունավետության համար:

● ադապտերի եւ լիցքավորիչի էլեկտրական անջատիչ միացում: