ĐH16N65

Chế độ tăng cường kênh N 16A 650V MOSFET nguồn

1 Mô tả

Các vdmosfet nâng cao kênh N silicon này thu được bằng công nghệ phẳng tự căn chỉnh giúp giảm

tổn thất dẫn truyền, cải thiện hiệu suất chuyển mạch và tăng cường năng lượng tuyết lở. Phù hợp với tiêu chuẩn RoHS.

2 tính năng

● Chuyển đổi nhanh

● Điện trở thấp (Rdson<0,6Ω)

● Phí cổng thấp (Loại: 47nC)

● Điện dung truyền ngược thấp (Loại: 33pF)

● Kiểm tra năng lượng tuyết lở xung đơn 100%

● Kiểm tra ΔVDS 100%

3 ứng dụng

● Được sử dụng trong các mạch chuyển mạch nguồn khác nhau để thu nhỏ hệ thống và đạt hiệu quả cao hơn.

● Mạch chuyển đổi nguồn của adapter và bộ sạc.

VDSS	RDS(bật)(TYP)	NHẬN DẠNG
650V	0,5Ω	16A