DH16N65

16A 650v% ຮູບແບບການປັບປຸງ MOICE Power Power Mosfet

1

Silicon N-channel ທີ່ໄດ້ຮັບການປັບປຸງ vdmosfets ໄດ້ຮັບການປັບປຸງ, ແມ່ນໄດ້ຮັບໂດຍເຕັກໂນໂລຢີຂອງແຜນທີ່ຂອງຕົວເອງທີ່ຫຼຸດລົງ

ການສູນເສຍການຍ່ອຍສະຫຼາຍ, ປັບປຸງການປ່ຽນແປງຂອງການປ່ຽນແປງແລະເສີມຂະຫຍາຍພະລັງງານທີ່ເຫົບ. ເຊິ່ງສອດຄ່ອງກັບມາດຕະຖານ Rohs.

2 ລັກສະນະ

●ສະຫຼັບໄວ

●ຕ່ໍາຕໍ່ຄວາມຕ້ານທານ (ສະຫນາມບິນairy≤0.6ω)

at ຄ່າບໍລິການທີ່ຕໍ່າ (ປະເພດ: 47NC)

●ມີການໂອນເງິນທີ່ມີການໂອນເງິນຕໍ່າ (ປະເພດ: 33 ໂມງແລງ)

● 100% SLULE ALALANCHE PURANCECE PORTALLECE

● 100% ການທົດສອບδvds

3 ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ

●ໃຊ້ໃນວົງຈອນສະຫຼັບພະລັງງານຕ່າງໆສໍາລັບລະບົບ miniaturization ແລະປະສິດທິພາບສູງ.

circle ວົງຈອນສະຫຼັບພະລັງງານຂອງຜູ້ດັດແປງແລະເຄື່ອງຊາດ.