未命名(1)(8) (1)
Poartă
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Sunteți aici: Acasă » Produse
Model:
Pachet:
V:
O:
LINII DE PRODUSE SELECTATE:

Toate produsele

Imagine Model Pachet V A Fișă tehnică Detalii Cerere Adaugă la coș
13N50AH1/F13N50AH1/ I13N50AH1/E13N50AH1
320A 30V N-canal Mod de îmbunătățire MOSFET de putere DH012N03D TO-252B DH012N03D TO-252B 30V 320A Specificația dispozitivului DH012N03.pdf
Modul de îmbunătățire canal N MOSFET de putere 180A 40V DHS020N04D TO-252B DHS020N04D TO-252B 40V 180A Specificația dispozitivului DHS020N04D.pdf
320A 30V N-canal Mod de îmbunătățire MOSFET de putere DH012N03 TO-220C DH012N03 TO-220C 30V 320A Specificația dispozitivului DH012N03.pdf
-30A -60V mod de îmbunătățire canal P MOSFET de putere DH300P06D TO-252B DH300P06D TO-252B -60V -30A Specificația dispozitivului DH300P06.pdf
35A 120V N-canal Mod de îmbunătățire MOSFET de putere DSD270N12N3 TO-252B DSD270N12N3 TO-252B 120V 35A Dispozitiv+DSD270N12N3+Specificație+Rev.1.0.pdf
105A 68V N-canal Mod de îmbunătățire MOSFET de putere DHS055N07E TO-263 DHS055N07E TO-263 68V 105A Donghai+DHS055N07&DHS055N07E+Fișă de date+V2.0 .pdf
310A 20V N-canal Mod de îmbunătățire MOSFET de putere DH009N02 TO-220C DH009N02 TO-220C 20V 310A Specificația dispozitivului DH009N02.pdf
60A 30V N-canal Mod de îmbunătățire MOSFET de putere DH081N03D TO-252B DH081N03D TO-252B 30V 60A Specificația dispozitivului DH081N03.pdf
4A 650V N-canal Mod de îmbunătățire MOSFET de putere D4N65 TO-252B D4N65 TO-252B 650V 4A 英文版D4N65技术规格书REV1.0.pdf
600A 650V modul semi-bridge IGBTModule DGD600H65M2T PACHET EconoDUAL3 DGD600H65M2T EconoDUAL3 650V 600A DGD600H65M2T REV1.0.pdf
30A 30V N-canal Mod de îmbunătățire MOSFET de putere DH081N03R DFN3*3-8 DH081N03R DFN3*3-8 30V 30A Specificația dispozitivului DH081N03R.pdf
16A 600V diodă de recuperare rapidă MUR1660CT TO-220M MUR1660CT TO-220M 600V 16A 英文版MUR1660CT&MURF1660CT技术规格书.pdf
MOSFET de putere SIC cu canal N de 41A 650V DCCF060M65G2 TO-247 DCCF060M65G2 TO-247-4L 650V 41A DCC060M65G2&DCCF060M65G2_Datasheet_V1.0.pdf
60A 68V N-canal Mod de îmbunătățire MOSFET de putere DHF50N06 TO-220F DHF50N06 TO-220F 68V 60A Specificația dispozitivului 50N06B34.pdf
400A 650V modul semi-bridge IGBTModule DGD400H65M2T PACHET EconoDUAL3 DGD400H65M2T EconoDUAL3 650V 400A DGD400H65M2T REV1.0.pdf
450A 1200V modul semi punte IGBTModule DGD450H120L2T PACHET EconoDUAL3 DGD450H120L2T EconoDUAL3 1200V 450A DGD450H120L2TREV1.1.pdf
320A 20V N-channel Mod de îmbunătățire MOSFET de putere DH009N02U
10A 400V diodă de recuperare rapidă MUR1040 TO-220-2L MUR1040 TO-220-2L 400V 10A 英文版MUR1040技术规格书.pdf
205A 85V N-canal Mod de îmbunătățire MOSFET de putere DHS025N88 TO-263 DHS025N88E TO-263 85V 205A Specificația dispozitivului DHS025N88.pdf

Video de produs

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Înscrieți-vă pentru buletinul nostru informativ
  • pregătiți-vă pentru viitorul
    înscriere la buletinul nostru informativ pentru a primi actualizări direct în căsuța dvs. de e-mail
    Trimiteți
Drepturi de autor © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Tehnologie de leadong.com