未命名 (1) (8) (1)
vrata
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nahajate se tukaj: domov » Izdelki
Model:
Paket:
V:
A:
IZBRANE PROIZVODNE LINIJE:

Vsi izdelki

Slika Model Paket V A Podatkovni list Podrobnosti Povpraševanje Dodaj v košarico
13N50AH1/F13N50AH1/ I13N50AH1/E13N50AH1
320A 30V N-kanalni način izboljšave moči MOSFET DH012N03D TO-252B DH012N03D TO-252B 30V 320A Specifikacije naprave DH012N03.pdf
N-kanalni način izboljšave moči MOSFET 180A 40V DHS020N04D TO-252B DHS020N04D TO-252B 40V 180A Specifikacije naprave DHS020N04D.pdf
320A 30V N-kanalni način izboljšave moči MOSFET DH012N03 TO-220C DH012N03 TO-220C 30V 320A Specifikacije naprave DH012N03.pdf
-30A -60V P-channel Enhancement Mode Power MOSFET DH300P06D TO-252B DH300P06D TO-252B -60V -30A Specifikacije naprave DH300P06.pdf
35A 120V N-kanalni način izboljšave moči MOSFET DSD270N12N3 TO-252B DSD270N12N3 TO-252B 120V 35A Naprava+DSD270N12N3+Specifikacije+Rev.1.0.pdf
105A 68V N-kanalni način izboljšave moči MOSFET DHS055N07E TO-263 DHS055N07E TO-263 68V 105A Donghai+DHS055N07&DHS055N07E+Podatkovni list+V2.0 .pdf
310A 20V N-kanalni način izboljšave MOSFET DH009N02 TO-220C DH009N02 TO-220C 20V 310A Specifikacija naprave DH009N02.pdf
60A 30V N-kanalni način izboljšave moči MOSFET DH081N03D TO-252B DH081N03D TO-252B 30V 60A Specifikacije naprave DH081N03.pdf
4A 650V N-kanalni način izboljšave Power MOSFET D4N65 TO-252B D4N65 TO-252B 650V 4A 英文版D4N65技术规格书REV1.0.pdf
600A 650V Polmostni modul IGBTModule DGD600H65M2T EconoDUAL3 PAKET DGD600H65M2T EconoDUAL3 650V 600A DGD600H65M2T REV1.0.pdf
30A 30V N-kanalni način izboljšave moči MOSFET DH081N03R DFN3*3-8 DH081N03R DFN3*3-8 30V 30A Specifikacije naprave DH081N03R.pdf
16A 600V dioda za hitro obnovitev MUR1660CT TO-220M MUR1660CT TO-220M 600V 16A 英文版MUR1660CT&MURF1660CT技术规格书.pdf
41A 650V N-kanalni SIC Power MOSFET DCCF060M65G2 TO-247 DCCF060M65G2 TO-247-4L 650V 41A DCC060M65G2&DCCF060M65G2_Podatkovni list_V1.0.pdf
60A 68V N-kanalni način izboljšave Power MOSFET DHF50N06 TO-220F DHF50N06 TO-220F 68V 60A Specifikacija naprave 50N06B34.pdf
400A 650V Polmostni modul IGBTModule DGD400H65M2T EconoDUAL3 PAKET DGD400H65M2T EconoDUAL3 650V 400A DGD400H65M2T REV1.0.pdf
450A 1200V Polmostni modul IGBTModul DGD450H120L2T EconoDUAL3 PAKET DGD450H120L2T EconoDUAL3 1200V 450A DGD450H120L2TREV1.1.pdf
320A 20V N-kanalni način izboljšave MOSFET DH009N02U
10A 400V dioda za hitro obnovitev MUR1040 TO-220-2L MUR1040 TO-220-2L 400V 10A 英文版MUR1040技术规格书.pdf
205A 85V N-kanalni način izboljšave moči MOSFET DHS025N88 TO-263 DHS025N88E TO-263 85V 205A Specifikacije naprave DHS025N88.pdf

Video o izdelku

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Prijavite se na naše glasilo
  • pripravite se na prihodnost,
    prijavite se na naše glasilo, da boste prejemali posodobitve neposredno v svoj nabiralnik
    Predloži
Copyright © 2023​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com