60 A 68 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DH50N06 TO-220C

60 A 68 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET

1 Beschreibung 

Diese N-Kanal-Enhanced-VDMOSFETs nutzen ein fortschrittliches Trench-Technologie-Design und bieten einen hervorragenden RDSON und eine niedrige Gate-Ladung. Was dem RoHS-Standard entspricht. 

2 Funktionen

● Schnelles Umschalten

● Niedriger EIN-Widerstand (Rdson≤22mΩ)

● Niedrige Gate-Ladung (typisch: 60 nC) 

● Geringe Rückübertragungskapazitäten (Typ: 275 pF) 

● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest 

● 100 % ΔVDS-Test 

3 Anwendungen

● Leistungsschaltanwendungen 

● Schaltnetzteil (SMPS)

● Unterbrechungsfreie Stromversorgung (USV) 

● Leistungsfaktorkorrektur (PFC)

VDSS	RDS(ein)(TYP)	AUSWEIS
68V	18mΩ	60A