60A 68V N-Kanalverbesserungsmodus Power MOSFET DH50N06 TO-220C

60A 68V N-Kanalverbesserungsmodus Power MOSFET

1 Beschreibung 

Diese N-Kanal-Verbesserung von VDMOSFETs verwendeten fortschrittliches Gräbertechnologie-Design und boten eine hervorragende RDSON und niedrige Gate-Ladung. Das entspricht dem ROHS -Standard. 

2 Merkmale

● schnelles Umschalten

● Niedrig des Widerstands (RDSON ≤ 22 mΩ)

● Ladung mit niedriger Gate (Typ: 60 nc) 

● Niedrige Rückwärtsübertragungskapazität (Typ: 275PF) 

● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest 

● 100% ΔVDS -Test 

3 Anwendungen

● Stromschaltanwendungen 

● Switch -Modus -Stromversorgung (SMPS)

● Unterbrechbares Stromversorgung (UPS) 

● Leistungsfaktorkorrektur (PFC)