13A 900 V Tryb wzmacniający kanał N MOSFET MOSFET 13N90 TO-3PN

13A 900 V Tryb wzmocnienia kanału N MOSFET

1 Opis

Te ulepszone przez N-kanał VDMOSFET są uzyskiwane przez samozwańczą planarną technologię, która zmniejsza stratę przewodzenia, poprawiają wydajność przełączania i poprawia energię lawinową. Co jest zgodne ze standardem Rohs. 

2 funkcje 

● Szybkie przełączanie 

● Ulepszona zdolność ESD 

● Niska rezystancja (RDSON ≤ 0,75 Ω) 

● 100% testu energii lawinowej pojedynczej pulsu

● Test 100% ΔVDS 

3 aplikacje 

● Używany w różnych obwodach przełączania zasilania do miniaturyzacji systemu i wyższej wydajności. 

● Obwód przełącznika zasilania elektronowego balastu i adaptera.