13A 900V N-kanals forbedringsmodus MOSFET 13N90 TO-3PN

13A 900V N-kanals forbedringsmodus MOSFET

1 Beskrivelse

Disse N-kanals forbedrede VDMOSFET-er, oppnås av den selvjusterte plane teknologien som reduserer ledningstapet, forbedrer bytteytelsen og forbedrer snøskredenergien. Som stemmer overens med ROHS -standarden. 

2 funksjoner 

● Rask bytte 

● ESD forbedret muligheten 

● Lav på motstand (Rdson≤0,75Ω) 

● 100% enkeltpuls Avalanche Energy Test

● 100% ΔVDS -test 

3 søknader 

● Brukes i forskjellige strømbryterkretser for systemminiatyrisering og høyere effektivitet. 

● Strømbryterkrets for elektronballast og adapter.