13A 900V N-kanavainen lisätilateho MOSFET 13N90 TO-3PN

13A 900V N-kanavainen lisälaitetila Power MOSFET

1 Kuvaus

Nämä N-kanavaiset parannetut vdmosfetit saadaan itsekohdistetun tasomaisen tekniikan avulla, joka vähentää johtavuushäviöitä, parantaa kytkentätehoa ja lisää lumivyöryenergiaa. Joka on RoHS-standardin mukainen. 

2 Ominaisuudet 

● Nopea vaihto 

● Parannettu ESD-ominaisuus 

● Pieni resistanssi (Rdson≤0,75Ω) 

● 100 % yhden pulssin lumivyöryenergiatesti

● 100 % ΔVDS-testi 

3 Sovellukset 

● Käytetään erilaisissa tehonkytkentäpiireissä järjestelmän pienentämiseksi ja tehokkuuden parantamiseksi. 

● Elektroniliitäntälaitteen ja sovittimen virtakytkinpiiri.

VDSS	RDS (päällä) (TYP)	ID
900V	0,61Ω	13A