未命名 (1) (8) (1)
vrata
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Tu ste: Doma » Izdelki » » Mosfet » 400V-1500V N MOS » 13a 900V način izboljšanja N-kanala Power MOSFET 13N90 TO-3PN

nalaganje

Delite:
Gumb za skupno rabo Facebooka
Gumb za skupno rabo Twitterja
Gumb za skupno rabo vrstic
Gumb za skupno rabo WeChat
Gumb za skupno rabo LinkedIn
Gumb za skupno rabo Pinterest
Gumb za skupno rabo WhatsApp
Gumb za skupno rabo

13A 900V Način izboljšanja N-kanalov Power MOSFET 13N90 TO-3PN

13A 900V N-kanalni način izboljšanja moči MOSFET
Razpoložljivost:
Količina:
Poizvedite Dodaj v košarico

13A 900V Način izboljšanja N-kanala Power MOSFET


1 opis

Ti N-kanalni, okrepljeni VDMOSFET-ji, dobimo s samovredno planarno tehnologijo, ki zmanjšuje izgubo prevodnosti, izboljšuje zmogljivost preklopa in izboljšuje energijo plazov. Ki ustreza standardu ROHS. 


2 značilnosti 

● Hitro preklapljanje 

● ESD izboljšana sposobnost 

● Nizko odpornost (RDSON 0,75Ω) 

● 100% enojni preskus energije z enim impulzom

● 100% ΔVDS test 


3 aplikacije 

● Uporablja se v različnih preklopnih vezjih za sistemsko miniaturizacijo in večjo učinkovitost. 

● Vklopno stikalo elektronskega balasta in adapterja.

VDS  Rds (on) （typ) Id 
900V 0,61Ω 13a



Prejšnji: 
Naslednji: 
13A 900V Način izboljšanja N-kanala Power MOSFET
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Prijavite se za naše glasilo
  • Pripravite se na prihodnjo
    prijavo na naše glasilo, da dobite posodobitve naravnost v mapo »Prejeto«
    Oddaj
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Tehnologija LEADENG.COM