Διαθεσιμότητα: | |
---|---|
Ποσότητα: | |
13N90
WXDH
13N90
To-3pn
900V
13α
13A 900V N-Channel MODECENT MOSFET
1 περιγραφή
Αυτά τα ενισχυμένα VDMOSFETs N-Channel επιτυγχάνονται από την αυτο-ευθυγραμμισμένη επίπεδη τεχνολογία που μειώνει την απώλεια αγωγιμότητας, βελτιώνει την απόδοση της μεταγωγής και ενισχύει την ενέργεια της χιονοστιβάδας. Η οποία συμφωνεί με το πρότυπο ROHS.
2 χαρακτηριστικά
● Γρήγορη εναλλαγή
● βελτιωμένη ικανότητα ESD
● Χαμηλή αντίσταση (RDSON≤0,75Ω)
● Δοκιμή ενεργειακής δοκιμής 100% μονής παλμού Avalanche
● δοκιμή 100% ΔVDS
3 αιτήσεις
● Χρησιμοποιείται σε διάφορα κύκλωμα μεταγωγής τροφοδοσίας για μικροσκοπία συστήματος και υψηλότερη απόδοση.
● Κύκλωμα διακόπτη τροφοδοσίας του έρματος ηλεκτρονίων και του προσαρμογέα.
VDSS | RDS (ON) (τύπος) | ταυτότητα |
900V | 0,61Ω | 13α |
13A 900V N-Channel MODECENT MOSFET
1 περιγραφή
Αυτά τα ενισχυμένα VDMOSFETs N-Channel επιτυγχάνονται από την αυτο-ευθυγραμμισμένη επίπεδη τεχνολογία που μειώνει την απώλεια αγωγιμότητας, βελτιώνει την απόδοση της μεταγωγής και ενισχύει την ενέργεια της χιονοστιβάδας. Η οποία συμφωνεί με το πρότυπο ROHS.
2 χαρακτηριστικά
● Γρήγορη εναλλαγή
● βελτιωμένη ικανότητα ESD
● Χαμηλή αντίσταση (RDSON≤0,75Ω)
● Δοκιμή ενεργειακής δοκιμής 100% μονής παλμού Avalanche
● δοκιμή 100% ΔVDS
3 αιτήσεις
● Χρησιμοποιείται σε διάφορα κύκλωμα μεταγωγής τροφοδοσίας για μικροσκοπία συστήματος και υψηλότερη απόδοση.
● Κύκλωμα διακόπτη τροφοδοσίας του έρματος ηλεκτρονίων και του προσαρμογέα.
VDSS | RDS (ON) (τύπος) | ταυτότητα |
900V | 0,61Ω | 13α |