13A 900V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 13N90 TO-3PN

13A 900V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

1 ຄຳອະທິບາຍ

ເຫຼົ່ານີ້ N-channel ປັບປຸງ vdmosfets, ແມ່ນໄດ້ຮັບໂດຍເຕັກໂນໂລຊີການວາງແຜນຕົນເອງສອດຄ່ອງທີ່ຫຼຸດຜ່ອນການສູນເສຍ conduction, ປັບປຸງການປະຕິບັດການສະຫຼັບແລະເສີມຂະຫຍາຍພະລັງງານ avalanche. ເຊິ່ງສອດຄ່ອງກັບມາດຕະຖານ RoHS. 

2 ຄຸນສົມບັດ 

● ສະຫຼັບໄວ 

● ESD ປັບປຸງຄວາມສາມາດ 

● ຄວາມຕ້ານທານຕໍ່າ(Rdson≤0.75Ω) 

● 100% ການທົດສອບພະລັງງານ avalanche ກໍາມະຈອນດຽວ

● 100% ΔVDS ການທົດສອບ 

3 ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ 

● ໃຊ້ໃນວົງຈອນສະຫຼັບພະລັງງານຕ່າງໆເພື່ອການປັບລະບົບຂະໜາດນ້ອຍ ແລະປະສິດທິພາບສູງກວ່າ. 

● ວົງຈອນສະວິດໄຟຂອງ ballast ເອເລັກໂຕຣນິກ ແລະອະແດັບເຕີ.

VDSS	RDS(ເປີດ) (TYP)	ID
900V	0.61Ω	13 ກ