13A 900V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET 13N90 TO-3PN

13A 900V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET

1 Popis

Tieto N-kanálové vylepšené vdmosfety sa získavajú samozarovnávacou planárnou technológiou, ktorá znižuje stratu vedenia, zlepšuje spínací výkon a zvyšuje lavínovú energiu. Čo je v súlade s normou RoHS. 

2 Vlastnosti 

● Rýchle prepínanie 

● Vylepšená schopnosť ESD 

● Nízky odpor (Rdson≤0,75Ω) 

● 100% test lavínovej energie s jedným impulzom

● 100 % test ΔVDS 

3 Aplikácie 

● Používa sa v rôznych výkonových spínacích obvodoch na miniaturizáciu systému a vyššiu účinnosť. 

● Obvod vypínača elektrónového predradníka a adaptéra.

VDSS	RDS (zapnuté) (TYP)	ID
900 V	0,61Ω	13A