brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nachádzate sa tu: Domov » Výrobky » Mosfet » 400V-1500V N MOS » 13a 900V N-kanálové vylepšenie režimu Power MOSFET 13N90 do-3pn

zaťaženie

Zdieľať na:
Tlačidlo zdieľania Facebooku
Tlačidlo zdieľania Twitteru
tlačidlo zdieľania riadkov
Tlačidlo zdieľania WeChat
tlačidlo zdieľania linkedIn
Tlačidlo zdieľania Pinterest
Tlačidlo zdieľania WhatsApp
Tlačidlo zdieľania zdieľania zdieľania

13A 900V N-kanálové vylepšenie režimu Power MOSFET 13N90 do-3pn

13A 900 V N-kanálové vylepšenie režimu Power MOSFET
dostupnosť:
Množstvo:

13A 900 V N-kanálové vylepšenie režimu Power MOSFET


1 popis

Tieto N-kanálové vylepšené VDMOSFETS sa získava pomocou rovnovážnej technológie, ktorá znižuje stratu vodivosti, zlepšuje výkon prepínania a zvyšuje energiu lavíny. Čo je v súlade so štandardom ROHS. 


2 funkcie 

● Rýchle prepínanie 

● Vylepšená schopnosť ESD 

● Nízky odpor (rdson <0,75Ω) 

● 100% Energia Energy Energy Energy Test

● Test 100% ΔVDS 


3 aplikácie 

● Používa sa v rôznych obvodoch prepínania energie na miniaturizáciu systému a vyššiu účinnosť. 

● Obvod napájacieho spínača elektrónového predradníka a adaptéra.

VDSS  RDS (ON) (TYP) Id 
900 V 0,61Ω 13a



Predchádzajúce: 
Ďalej: 
  • Prihláste sa do nášho bulletinu
  • Pripravte sa na budúcnosť
    Prihláste sa do nášho bulletinu, aby ste získali aktualizácie priamo do svojej doručenej pošty