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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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50A 650V Transistor Bipolare Transistor Bipolare TrenchStop DGC50F65M2 TO-247

Utilizzando la progettazione della trincea proprietaria di Donghai e la tecnologia FS anticipata, la FS IGBT 650V offre prestazioni superiori e di commutazione, ad alta valanga e facile
disponibilità di funzionamento parallelo:
quantità:

50A 650V Transistor bipolare di gate isolato a trench


1 caratteristiche 

Utilizzando la progettazione della trincea proprietaria di Donghai e la tecnologia FS anticipata, il 650V FS IGBT offre prestazioni superiori e di commutazione, ad alta funzionalità di robustezza delle valanghe. 


2 caratteristiche 

● Tecnologia della trincea FS, coefficiente di temperatura positivo 

● Tensione di saturazione bassa: VCE (SAT), tip = 1.8 V @ IC = 50A e TJ = 25 ° C 

● Capacità di valanga estremamente migliorata 


3 applicazioni 

● Saldatura 

● UPS 

● Inverter a tre livelli


Vce VceSat, TJ = 25 ℃ Circuito integrato Tjmax Pacchetto
650v 1.8v 50a  175 ℃ To-247


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