gerbang
Jiangsu Donghai Semikonduktor Co, Ltd
Anda di sini: Rumah » Produk » IGBT » 600V-650V » 50A 650V Trenchstop Gerbang Terisolasi Transistor Bipolar DGC50F65M2 TO-247

memuat

Bagikan ke:
tombol berbagi facebook
tombol berbagi twitter
tombol berbagi baris
tombol berbagi WeChat
tombol berbagi tertaut
tombol berbagi pinterest
tombol berbagi whatsapp
bagikan tombol berbagi ini

50A 650V Trenchstop Gerbang Terisolasi Transistor Bipolar DGC50F65M2 TO-247

Menggunakan desain Trench milik DongHai dan teknologi FS yang canggih, IGBT FS 650V menawarkan kinerja peralihan dan peralihan yang unggul, ketangguhan longsoran salju yang tinggi, pengoperasian paralel yang mudah
Ketersediaan:
Kuantitas:

Transistor Bipolar Gerbang Terisolasi Trenchstop 50A 650V


1 Fitur 

Menggunakan desain Trench milik DongHai dan teknologi FS yang canggih, IGBT FS 650V menawarkan kinerja superior dan switching, ketangguhan longsoran salju yang tinggi, pengoperasian paralel yang mudah 


2 Fitur 

● Teknologi Parit FS, Koefisien suhu positif 

● Tegangan saturasi rendah: VCE(sat), typ = 1,8V @ IC =50A dan Tj = 25°C 

● Kemampuan longsoran salju yang sangat ditingkatkan 


3 Aplikasi 

● Pengelasan 

● UPS 

● Inverter Tiga Tingkat


VCE Vcesat,Tj=25℃ Ic Tjmax Kemasan
650V 1.8V 50A  175℃ KE-247


Sebelumnya: 
Berikutnya: 
  • Mendaftarlah untuk buletin kami
  • bersiaplah untuk masa depan,
    daftarlah ke buletin kami untuk mendapatkan pembaruan langsung ke kotak masuk Anda