капија
Јиангсу Донгхаи Семицондуцтор Цо., Лтд
Ви сте овде: Хоме » Производи » ИГБТ » 600В-650В » 50А 650В Тренцхстоп Инсулатед Гате Биполарни транзистор ДГЦ50Ф65М2 ТО-247

лоадинг

Подели са:
дугме за дељење Фејсбука
дугме за дељење твитера
дугме за дељење линије
дугме за дељење вецхата
дугме за дељење линкедин-а
дугме за дељење пинтерест
дугме за дељење ВхатсАпп-а
поделите ово дугме за дељење

50А 650В Тренцхстоп Инсулатед Гате Биполарни транзистор ДГЦ50Ф65М2 ТО-247

Користећи ДонгХаи-ов власнички Тренцх дизајн и напредну ФС технологију, 650В ФС ИГБТ нуди супериорне перформансе и комутационе перформансе, високу отпорност на лавину, лак паралелан рад
Доступност:
Количина:

50А 650В Тренцхстоп изоловани биполарни транзистор


1 Карактеристике 

Користећи ДонгХаи-ов власнички Тренцх дизајн и напредну ФС технологију, 650В ФС ИГБТ нуди супериорне и комутационе перформансе, високу отпорност на лавину, лак паралелни рад 


2 Карактеристике 

● ФС Тренцх Тецхнологи, позитиван температурни коефицијент 

● Низак напон засићења: ВЦЕ(сат), тип = 1.8В @ ИЦ =50А и Тј = 25°Ц 

● Екстремно побољшана способност лавина 


3 Апликације 

● Заваривање 

● УПС 

● Тростепени претварач


ВЦЕ Вцесат,Тј=25℃ Иц Тјмак Пакет
650В 1.8В 50А  175℃ ТО-247


Претходно: 
Следеће: 
  • Пријавите се за наш билтен
  • припремите се за будућност
    пријавите се за наш билтен да бисте добијали ажурирања директно у пријемно сандуче