未命名 (1) (8) (1)
portão
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Você está aqui: Lar » Produtos » IGBT » 600V-650V » 50a 650V Trenchstop Isolle Gate Bipolar Transistor DGC50F65M2 TO-247

carregando

Compartilhar para:
Botão de compartilhamento do Facebook
Botão de compartilhamento do Twitter
Botão de compartilhamento de linha
Botão de compartilhamento do WeChat
Botão de compartilhamento do LinkedIn
Botão de compartilhamento do Pinterest
Botão de compartilhamento do WhatsApp
Botão de compartilhamento de sharethis

50A 650V TrenchStop Isoled Gate Bipolar Transistor DGC50F65M2 TO-247

Usando o design proprietário da Trench de Donghai e a tecnologia FS avançada, o IGBT de 650V FS oferece performances superiores e de comutação, alta robustez Avalanche Fácil Operação Parallel
Disponibilidade:
Quantidade:
Pergunte Adicione à cesta

50a 650V TrenchStop Isoled Gate Bipolar Transistor


1 características 

Usando o design proprietário da Trench denghai e a tecnologia FS avançada, o IGBT de 650V FS oferece performances superiores e de comutação, alta operação paralela de robustez de avalanche 


2 recursos 

● Tecnologia da trincheira FS, coeficiente de temperatura positiva 

● Baixa tensão de saturação: VCE (SAT), TIP = 1,8V @ IC = 50A e TJ = 25 ° C 

● Capacidade de avalanche extremamente aprimorada 


3 aplicações 

● Soldagem 

● UPS 

● Inversor de três níveis


VCE Vcesat, tj = 25 ℃ Ic Tjmax Pacote
650V 1.8V 50a  175 ℃ To-247


Anterior: 
Próximo: 
IGBT
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Inscreva -se para a nossa newsletter
  • Prepare
    ​
    Enviar
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com