Transistor bipolar de porta isolada trinchstop 50A 650V DGC50F65M2 TO-247

Transistor bipolar de porta isolada Trenchstop 50A 650V

1 Recursos 

Usando o design Trench proprietário da DongHai e a avançada tecnologia FS, o IGBT 650V FS oferece desempenho superior e de comutação, alta robustez em avalanches, fácil operação paralela 

2 recursos 

● Tecnologia FS Trench, coeficiente de temperatura positivo 

● Baixa tensão de saturação: VCE(sat), tipo = 1,8V @ IC =50A e Tj = 25°C 

● Capacidade de avalanche extremamente aprimorada 

3 aplicações 

● Soldagem 

● UPS 

● Inversor de três níveis

VCE	Vcesat,Tj=25℃	Eu	Tjmax	Pacote
650 V	1,8V	50A	175°C	PARA-247