U is hier: Tuiste » Produkte » IgBt » 600V-650V » 50A 650V Trenchstop geïsoleerde hek bipolêre transistor DGC50F65M2 TO-247

Deel aan:

50A 650V Trenchstop geïsoleerde hek bipolêre transistor DGC50F65M2 TO-247

Die 650V FS IGBT, met behulp van Donghai se eie slootontwerp en Advance FS -tegnologie, bied uitstekende en skakeloptredes, hoë lawine robuustness maklike parallelle werking

beskikbaarheid:

hoeveelheid:



Navraag doen Voeg by die mandjie

Model:
DGC50F65M2
Handelsmerk:
Wxdh
Pakket:
TO-247
Datablad:
DGC50F65M2__Datasheet.pdf
V:
650V
A:
50A

Produkbeskrywing

50A 650V slootstop geïsoleerde bipolêre transistor

1 kenmerke

Die 650V FS IGBT, met behulp van Donghai se eie slootontwerp en Advance FS -tegnologie, bied uitstekende en skakelprestasies, hoë lawine robuustness maklike parallelle werking

2 funksies

● FS sloottegnologie, positiewe temperatuurkoëffisiënt

● Lae versadigingsspanning: VCE (SAT), TYP = 1.8V @ IC = 50A en TJ = 25 ° C

● Uiters verbeterde lawine -vermoë

3 Aansoeke

● Sweis

● UPS

● Drie-vlak omskakelaar

VCE	Vcesat, tj = 25 ℃	IC	Tjmax	Pakkie
650V	1.8V	50A	175 ℃	TO-247

IgBt

Teken in vir ons nuusbrief
Maak gereed vir die toekomstige
aanmelding vir ons nuusbrief om opdaterings direk na u inkassie te kry

Onderwerp

Ons produkte
- Mosfet
- Diode
- IgBt
- IGBT -module
- Sic
- Spanningsreguleerder IC
Oor Letor
- Oor ons
- Toepassing
- Volhoubaarheid
- Blog
- Kontak ons
Meer skakels
Kontak ons

E -pos:

sales@wxdh.com. CN

Landlyn:

+86-510-85307789
Sosiale netwerke