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50A 650V Puerta de zanja de trincheras Transistor bipolar DGC50F65M2 a 247

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50A 650V Puerta de zanja de trincheras Transistor bipolar DGC50F65M2 a 247

Utilizando el diseño de trincheras patentado de Donghai y la tecnología FS Advance de Donghai, el 650V FS IGBT ofrece actuaciones superiores y de conmutación, alta resistencia de avalancha de avalancha fácil de operación paralela

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Modelo:
DGC50F65M2
Marca:
Wxdh
Paquete:
To-247
Ficha de datos:
Dgc50f65m2__dataSheet.pdf
V:
650V
A:
50A

Descripción del Producto

50A 650V Puerta de zanjes de trinchera Transistor bipolar

1 características

Utilizando el diseño de trincheras patentado de Donghai y la tecnología FS Advance de Donghai, el 650V FS IGBT ofrece actuaciones superiores y de conmutación, ruggedness de alta avalancha operación paralela fácil

2 características

● Tecnología de la trinchera FS, coeficiente de temperatura positiva

● Voltaje de bajo saturación: VCE (SAT), TYP = 1.8V @ IC = 50A y TJ = 25 ° C

● Capacidad de avalancha extremadamente mejorada

3 aplicaciones

● Soldadura

● UPS

● Inverter de tres niveles

VCE	Vcesat, TJ = 25 ℃	Beer	Tjmax	Paquete
650V	1.8V	50A	175 ℃	To-247

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