50a 650v travelstop ປະຕູຮົ້ວປະຕູ Bipolar Transistor dgc50f65m2 ເຖິງ 247

50a 650v traverntop insulatedop ປະຕູຮົ້ວປະຕູ bipolar

1 ລັກສະນະ 

ການນໍາໃຊ້ການອອກແບບນ້ໍາທີ່ເປັນເຈົ້າຂອງ donghai ແລະເທັກໂນໂລຢີລ່ວງຫນ້າຂອງ Donghai, The 650v FS IGBT ໃຫ້ການສະແດງສູງແລະສັບປ່ຽນ, ມີການປະຕິບັດງານຂະຫນານກັນດີ 

2 ລັກສະນະ 

● FS Tranench ເຕັກໂນໂລຢີ, ຕົວເລືອກອຸນຫະພູມໃນແງ່ບວກ 

● VCE ຄວາມອີ່ມຕົວ: VCE (SAT), ປະເພດ = 1.8V @ ic = 50a ແລະ TJ = 25 ° 

●ຄວາມສາມາດທີ່ດີເລີດທີ່ສຸດ 

3 ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ 

●ການເຊື່ອມໂລຫະ 

● 

●ລະດັບ 3 ລະດັບ