50A 650V TRENCHSTOP GATE BIPOLAR TRENSISTOR DGC50F65M2 TO-247

50A 650V Trenchstop Gate Gate Bipolar Transistor

1 คุณสมบัติ 

การใช้การออกแบบร่องลึกที่เป็นกรรมสิทธิ์ของ Donghai และเทคโนโลยี FS ล่วงหน้า 650V FS IGBT ให้การแสดงที่เหนือกว่าและสลับ 

2 คุณสมบัติ 

●เทคโนโลยีสนามเพลาะ FS ค่าสัมประสิทธิ์อุณหภูมิบวก 

●แรงดันความอิ่มตัวต่ำ: VCE (SAT), typ = 1.8V @ IC = 50A และ TJ = 25 ° C 

●ความสามารถในการหิมะถล่มที่เพิ่มขึ้นอย่างมาก 

3 แอปพลิเคชัน 

●การเชื่อม 

● UPS 

●อินเวอร์เตอร์สามระดับ

VCE	vcesat, tj = 25 ℃	ไอซี	tjmax	บรรจุุภัณฑ์
650V	1.8V	50A	175 ℃	ถึง 247