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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 120 A 40 V DH033N04 TO-220C DH033N04 TO-220C 40 V 120A Dispositivo DH033N04 Specifiche.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 160 A 30 V DH020N03P 5x6-8 DH020N03P DFN5X6 30 V 160A Dispositivo DH020N03P Specifiche.pdf
MOSFET di potenza DHS021N04 TO-220C in modalità potenziamento canale N da 180 A 40 V DHS021N04 TO-220C 40 V 180A Donghai+DHS021N04&DHS021N04E+Scheda Tecnica+V3.0.pdf
IC regolatore di tensione a tre terminali L7808 TO-220M L7808 TO-220M 8 V 8 mA 英文版L78XX技术规格书.pdf
Diodo barriera Schottky 20A 100V MBRF20100CT TO-220F MBRF20100CT TO-220F 100 V 20A 英文版MBRF20100CT技术规格书REV1.0.pdf
85 V/0,9 mΩ/360 A N-MOSFET DSU011N08N3A PEDAGGIO DSU011N08N3A PEDAGGIO 85 V 360A DSU011N08N3A_Datasheet_V1.0.pdf
Transistor bipolare a cancello isolato Trenchstop 50A 650V G50T65DS TO-247S G50T65DS TO-247S 650 V 50A scheda tecnica.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale P da 25 A 100 V DH100P25D TO-252B DH100P25D TO-252B -100 V -25A Specifiche del dispositivo DH100P25.pdf
Diodo barriera Schottky SiC 40A 650V DCC40D65G4 TO-247-3 DCC40D65G4 TO-247 650 V 40A Specifiche del dispositivo DCC40D65G4.pdf
DSG041N08NA TO-220C DSG041N08NA TO-220C 85 V 180A Dispositivo+DSG041N08NA+Specifica+Rev.1.0.pdf
IC regolatore di tensione a tre terminali L7809 TO-220M L7809 TO-220M 9V 8 mA 英文版L78XX技术规格书.pdf
CI regolatore di tensione a tre terminali L7805CV TO-220M L7805CV TO-220M 5 V 8 mA 英文版L78XX技术规格书.pdf
Diodo barriera Schottky SiC 20A 650V DCGT20D65G4 TO-220-2L DCGT20D65G4 TO-220-2 650 V 20A Specifiche del dispositivo DCGT20D65G4.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 90 A 40 V DH045N04 TO-220C DH045N04 TO-220C 40 V 90A Dispositivo DH045N04 Specifiche.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 170 A 100 V DSE028N10N3 TO-263 DSE028N10N3 TO-263 100 V 170A DSG030N10N3&DSE028N10N3_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 20 A 500 V F20N50 F20N50 TO-220F 500 V 20A 英文版F20N50技术规格书REV1.1.pdf
Modulo IGBT modulo mezzo ponte 75A 650V DGA75H65M2T 34mm DGA75H65M2T 34 mm 650 V 75A DGA75H65M2T.pdf
Diodo a recupero rapido 60A 200V MUR6020NCT TO-3PN MUR6020NCT TO-3PN 200 V 60A 英文版MUR6020NCT技术规格书REV1.0.pdf
MOSFET di potenza a super giunzione a canale N da 21 A 650 V DHSJ21N65W TO-247 DHSJ21N65W TO-247 650 V 21A DHSJ21N65W_Datesheet_V1.0.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 80 A 60 V DATD063N06N TO-252B DATD063N06N TO-252B 60 V 80A Dispositivo+DATD063N06N+Specifica Rev.1.0.pdf

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