未命名(1)(8) (1)
brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nacházíte se zde: Domov » Produkty
Model:
Balík:
PROTI:
A:
VYBRANÉ PRODUKTOVÉ ŘADY:

Všechny produkty

Obrázek Model Balení V A Technický list Podrobnosti Poptávka Přidat do košíku
200V/11mΩ/110A N-MOSFET DSE108N20NA TO-263 DSE108N20NA TO-263 200V 110A Donghai_DSE108N20NA_Datasheet_V1.0.pdf
120A 40V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DH033N04 TO-220C DH033N04 TO-220C 40V 120A Specifikace zařízení DH033N04.pdf
160A 30V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DH020N03P 5x6-8 DH020N03P DFN5X6 30V 160A Specifikace zařízení DH020N03P.pdf
180A 40V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DHS021N04 TO-220C DHS021N04 TO-220C 40V 180A Donghai+DHS021N04&DHS021N04E+DataSheet+V3.0.pdf
Třísvorkový regulátor napětí IC L7808 TO-220M L7808 TO-220M 8V 8 mA 英文版L78XX技术规格书.pdf
20A 100V SchottkyBarrierDiode MBRF20100CT TO-220F MBRF20100CT TO-220F 100V 20A 英文版MBRF20100CT技术规格书REV1.0.pdf
85V/0,9mΩ/360A N-MOSFET DSU011N08N3A TOLL DSU011N08N3A MÝTNÉ 85V 360A Donghai_DSU011N08N3A_Datasheet_V1.0.pdf
50A 650V Trenchstop Izolovaná brána Bipolární tranzistor G50T65DS TO-247S G50T65DS TO-247S 650V 50A G50T65DS_datasheet.pdf
15A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DH850N10B TO-251B DH850N10B TO-251B 100V 15A Specifikace zařízení DH850N10.pdf
40A 650V SiC Schottkyho bariérová dioda DCC40D65G4 TO-247-3 DCC40D65G4 TO-247 650V 40A Specifikace zařízení DCC40D65G4.pdf
DSG041N08NA TO-220C DSG041N08NA TO-220C 85V 180A Zařízení+DSG041N08NA+Specifikace+Rev.1.0.pdf
Třísvorkový regulátor napětí IC L7809 TO-220M L7809 TO-220M 9V 8 mA 英文版L78XX技术规格书.pdf
Třísvorkový regulátor napětí IC L7805CV TO-220M L7805CV TO-220M 5V 8 mA 英文版L78XX技术规格书.pdf
20A 650V SiC Schottkyho bariérová dioda DCGT20D65G4 TO-220-2L DCGT20D65G4 TO-220-2 650V 20A Specifikace zařízení DCGT20D65G4.pdf
90A 40V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DH045N04 TO-220C DH045N04 TO-220C 40V 90A Specifikace zařízení DH045N04.pdf
170A 100V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DSE028N10N3 TO-263 DSE028N10N3 TO-263 100V 170A Donghai_DSG030N10N3&DSE028N10N3_Datasheet_V1.0.pdf
20A 500V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET F20N50 F20N50 TO-220F 500V 20A 英文版F20N50技术规格书REV1.1.pdf
75A 650V Modul polovičního můstku IGBT modul DGA75H65M2T 34mm DGA75H65M2T 34 mm 650V 75A DGA75H65M2T.pdf
Rychlá obnovovací dioda 60A 200V MUR6020NCT TO-3PN MUR6020NCT TO-3PN 200V 60A 英文版MUR6020NCT技术规格书REV1.0.pdf
21A 650V N-channel Super Junction Power MOSFET DHSJ21N65W TO-247 DHSJ21N65W TO-247 650V 21A Donghai_DHSJ21N65W_Datesheet_V1.0.pdf

Video o produktu

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Přihlaste se k odběru našeho newsletteru
  • připravte se na budoucí
    přihlášení k odběru našeho newsletteru, abyste dostávali aktualizace přímo do vaší schránky
    Předložit
Copyright © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com