未命名(1)(8) (1)
brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nacházíte se zde: Domov » Produkty
Model:
Balík:
PROTI:
A:
VYBRANÉ PRODUKTOVÉ ŘADY:

Všechny produkty

Obrázek Model Balení V A Technický list Podrobnosti Poptávka Přidat do košíku
F20N65
105A 68V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DHS055N07D TO-252B DHS055N07D TO-252B 68V 95A Donghai+DHS055N07B&DHS055N07D+Datový list+V2.0 .pdf
68A 1200V N-channel SIC Power MOSFET DCC040M170G2 TO-247-3 1700V 67A DCC040M170G2_Datasheet_V1.0(1).pdf
36A 1200V N-channel SIC Power MOSFET DCC080M120A TO-247-3L DCC080M170G2 TO-247 1700V 37A DCC080M170G2_Datasheet_V1.0.pdf
238A 60V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DH026N06E TO-263 DH026N06E TO-263 60V 238A Specifikace zařízení DH026N06.pdf
80A 68V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DH072N07E TO-263 DH072N07E TO-263 68V 80A Specifikace zařízení DH072N07.pdf
30A 100V Schottkyho bariérová dioda TO-220F MBRF30100CT MBRF30100CT TO-220F 100V 30A 英文版MBRF30100CT技术规格书REV1.1.pdf
80A 68V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DH072N07D TO-252B DH072N07D TO-252B 68V 80A Specifikace zařízení DH072N07.pdf
80A 300V Dioda rychlé obnovy MUR80FU30DCT TO-3PN MUR80FU30DCT TO-3PN 300V 80A 英文版MUR80FU30DCT技术规格书.pdf
40A 1200V Trenchstop Izolovaná brána Bipolární tranzistor DGC40H120M2 TO-247 DGC40H120M2 TO-247 1200V 40A DGC40H120M2 - datasheet.pdf
110A 85V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DHS055N85E TO-263 DHS055N85E TO-263 85V 110A Specifikace zařízení DHS055N85.pdf
100V/2,9mΩ/190A N-MOSFET DSU035N10N3A TOLL DSU035N10N3A MÝTNÉ 100V 190A DSU035N10N3A_Datasheet_V1.0.pdf
180A 100V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DHS035N10 TO-220 DHS035N10 TO-220C 100V 180A Zařízení+DHS035N10&DHS035N10E+Specifikace+Rev.1.0 (1).pdf
160A 650V Modul polovičního můstku IGBTMmodul DGA160H65M2T 34mm DGA160H65M2T 34 mm 650V 160A DGA160H65M2T.pdf
NPN Epitaxní silikonový tranzistor MJD127 TO-252 Package MJD127 TO-252 -100V -5A 英文版TIP127MJD127技术规格书.pdf
15A 600V Rychlá obnovovací dioda MUR1560 TO-220-2L MUR1560 TO-220-2L 600V 15A 英文版MUR1560技术规格书(1).pdf
10A 400V Dioda rychlé obnovy MUR1040CT TO-220C MUR1040CT TO-220C 400V 10A 英文版MUR1040CT技术规格书.pdf
1200V/16mΩ/110A SiC MOSFET DCC016M120G3 TO-247 DCC016M120G3 TO-247 1200V 110A DCC016M120G3_datasheet_V1.0.pdf
Výkonový MOSFET 116A 68V N-channel Enhancement Mode DH070N07 TO-220C 70V 100A DH070N07(T0F)_Datový list_V1.0.pdf
40A 1200V Modul polovičního můstku IGBTMmodul DGA40H120M2T 34mm DGA40H120M2T 34 mm 1200V 40A DGA40H120M2T-REV1.0.pdf

Video o produktu

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Přihlaste se k odběru našeho newsletteru
  • připravte se na budoucí
    přihlášení k odběru našeho newsletteru, abyste dostávali aktualizace přímo do vaší schránky
    Předložit
Copyright © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com