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Semicondutor Co. de Jiangsu Donghai, Ltd
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60A 68V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DHD50N06 TO-252B DHD50N06 PARA-252B 68 V 60A Especificação do dispositivo 50N06B34.pdf
G50N120D
112A 85V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DHS043N85P DFN5X6 DHS043N85P DFN5*6 85 V 112A Especificação do dispositivo DHS043N85P-Rev.1.0.pdf
108A 85V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DHS042N85P DFN5 * 6-8 DHS042N85P DFN5*6-8 85 V 108A DHS042N85P_Datasheet_v1.0.pdf
120A 90V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DH90N055R TO-220C DH90N055R PARA-220C 90V 120A Especificação do dispositivo DH90N055R.pdf
100A 30V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DH033N03D TO-252B DH033N03D PARA-252B 30V 100A Especificação do dispositivo DH033N03 (1).pdf
100V/5,2mΩ/95A N-MOSFET DSP070N10L3A DFN5X6 DSP070N10L3A DFN5X6 100 V 95A DSP070N10L3A_Datasheet_V1.0.pdf
200V/11mΩ/110A N-MOSFET DSG108N20NA TO-220C DSG108N20NA PARA-220C 200 V 110A DSG108N20NA_Datasheet_V1.0.pdf
96A 100V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DFN5X6 DSP051N10N DFN5*6-8 100 V 96A Especificação do dispositivo DSP051N10N Rev.1.0.pdf
10A 30V Modo de aprimoramento de canal P MOSFET DH160P03V SOP-8 DH160P03V POP-8 30V 10A Especificação do dispositivo DH160P03V Rev.1.0.pdf
Transistor bipolar de porta isolada trinchstop 50A 650V DGC50F65M2 TO-247 DGC50F65M2 PARA-247 650 V 50A _folha de dados.pdf
220A 40V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DTE025N04NA TO-263 DTE025N04NA PARA-263 40V 220A Especificação do dispositivo DTE025N04NA e DTG025N04NA Rev.1.0.pdf
2A 600V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET D2N60 TO-252B D2N60 PARA-252B 600 V 2A 英文版D2N60技术规格书.pdf
60A 300V Recuperação ultrarrápida Diodo de recuperação rápida MUR60FU30CS TO-3PN MUR60FU30DCS TO-3PN 300V 60A
13A 900V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET 13N90 TO-3PN 13N90 TO-3PN 900V 13A 英文版13N90技术规格书.pdf
80A 60V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DHS065N06P DFN5X6 DHS065N06P
Diodo de recuperação rápida 45A 300V MUR4530DCT TO-3PN MUR4530DCT TO-3PN 300V 45A mur4530dct英文版FRD 45A 300V série T技术规格书.pdf
9A 900V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET 9N90B TO-247 9N90B PARA-247 900V 9A 英文版9N90B技术规格书REV1.0(1).pdf
MOSFET de potência do modo de aprimoramento do canal P 75A 100V DH100P70 PARA-220C 100 V 80A Especificação do dispositivo DH100P70.pdf
DGA75H65M2T

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