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F20N50/20N50B
100V/1,5mΩ/240A N-MOSFET DSC018N10N TO-247 DSC018N10N PARA-247 100V 240A Donghai_DSC018N10N_Datasheet_V1.0.pdf
transistor bipolar isolado trinchstop da porta de 40A 1200V DGC40H120M2 TO-247 DGC40H120M2 PARA-247 1200 V 40A DGC40H120M2 - folha de dados.pdf
100V/2,9mΩ/190A N-MOSFET DSU035N10N3A PORTÁGIO DSU035N10N3A PEDÁGIO 100V 190A Donghai_DSU035N10N3A_Datasheet_V1.0.pdf
85A 80V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DH075N08 TO-220C DH075N08 PARA-220C 80V 95A Donghai_DH075N08&DH075N08E_Datasheet_V2.0.pdf
100A 68V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DHS031N07P DFN5 * 6 DHS031N07P DFN5X6 68 V 100A Donghai_ DHS031N07P_DataSheet_V2.0 .pdf
Modo de aprimoramento de canal N Potência MOSFET 10A 700V D10N70 TO-252B D10N70 PARA-252B 700 V 10A 英文版D10N70技术规格书REV1.0.pdf
Diodo de recuperação rápida 15A 600V MUR1560 TO-220-2L MUR1560 TO-220-2L 600 V 15A 英文版MUR1560技术规格书(1).pdf
Diodo de recuperação rápida 10A 400V MUR1040CT TO-220C MUR1040CT PARA-220C 400 V 10A 英文版MUR1040CT技术规格书.pdf
F7N70/B7N70/D7N70
F4N70/B4N70/D4N70
MOSFET de potência do modo de aprimoramento de canal N 116A 68V DH070N06 PARA-220C 60 V 88A Especificação do dispositivo DH070N06 (2).pdf
8N65/F8N65
F20N65
2A 650V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET D2N65 TO-252B D2N65 PARA-252B 650 V 2A 英文版D2N65技术规格书.pdf
30A 60V BAIXO VF SchottkyBarrierDiode MBR30R60CTS TO-220C MBR30R60CTS PARA-220C 60 V 30A MBR30R60CTS 技术规格书REV.1.0..pdf
Transistor bipolar de porta isolada trinchstop 50A 650V G50T65LBBW TO-247 G50T65LBBW PARA-247 650 V 50A G50T65LBBW__folha de dados(1)(1).pdf
36A 1200V canal N SIC Power MOSFET DCCF080M120A2 TO-247-4L DCCF080M120A2 TO-247-4L 1200 V 36A Especificação do dispositivo DCC080M120A.pdf
diodo de barreira DCCT20D65G4 TO-247-2L de 20A 650V SiC Schottky DCCT20D65G4 TO-247-2L 650 V 20A Especificação do dispositivo DCCT20D65G4.pdf
170A 40V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DHS020N04P DFN5 * 6 DHS020N04P DFN5*6-8 40V 170A Especificação do dispositivo DHS020N04P Rev.2.0.pdf

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