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Semicondutor Co. de Jiangsu Donghai, Ltd
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200V/11mΩ/110A N-MOSFET DSE108N20NA TO-263 DSE108N20NA PARA-263 200 V 110A Donghai_DSE108N20NA_Datasheet_V1.0.pdf
120A 40V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DH033N04 TO-220C DH033N04 TO-220C 40V 120A Especificação do dispositivo DH033N04.pdf
160A 30V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DH020N03P 5x6-8 DH020N03P DFN5X6 30V 160A Especificação do dispositivo DH020N03P.pdf
180A 40V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DHS021N04 TO-220C DHS021N04 TO-220C 40V 180A Donghai+DHS021N04&DHS021N04E+Folha de dados+V3.0.pdf
Regulador de tensão de três terminais IC L7808 TO-220M L7808 PARA-220M 8V 8mA 英文版L78XX技术规格书.pdf
20A 100V SchottkyBarrierDiode MBRF20100CT TO-220F MBRF20100CT TO-220F 100V 20A 英文版MBRF20100CT技术规格书REV1.0.pdf
85V/0,9mΩ/360A N-MOSFET DSU011N08N3A PORTÁGIO DSU011N08N3A PEDÁGIO 85V 360A Donghai_DSU011N08N3A_Datasheet_V1.0.pdf
50A 650V Trenchstop isolou o transistor bipolar G50T65DS TO-247S da porta G50T65DS TO-247S 650 V 50A G50T65DS_datasheet.pdf
15A 100V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DH850N10B TO-251B DH850N10B TO-251B 100V 15A Especificação do dispositivo DH850N10.pdf
diodo de barreira sic Schottky DCC40D65G4 TO-247-3 de 40A 650V DCC40D65G4 PARA-247 650 V 40A Especificação do dispositivo DCC40D65G4.pdf
DSG041N08NA TO-220C DSG041N08NA TO-220C 85 V 180A Dispositivo+DSG041N08NA+Especificação+Rev.1.0.pdf
Regulador de tensão de três terminais IC L7809 TO-220M L7809 PARA-220M 9V 8mA 英文版L78XX技术规格书.pdf
Regulador de tensão de três terminais IC L7805CV TO-220M L7805CV PARA-220M 5V 8mA 英文版L78XX技术规格书.pdf
diodo de barreira DCGT20D65G4 TO-220-2L de 20A 650V SiC Schottky DCGT20D65G4 PARA-220-2 650 V 20A Especificação do dispositivo DCGT20D65G4.pdf
90A 40V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DH045N04 TO-220C DH045N04 TO-220C 40V 90A Especificação do dispositivo DH045N04.pdf
170A 100V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DSE028N10N3 TO-263 DSE028N10N3 PARA-263 100V 170A Donghai_DSG030N10N3&DSE028N10N3_Datasheet_V1.0.pdf
20A 500V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET F20N50 F20N50 TO-220F 500 V 20A 英文版F20N50技术规格书REV1.1.pdf
Módulo IGBT de meia ponte 75A 650V módulo DGA75H65M2T 34mm DGA75H65M2T 34mm 650 V 75A DGA75H65M2T.pdf
Diodo de recuperação rápida 60A 200V MUR6020NCT TO-3PN MUR6020NCT TO-3PN 200 V 60A 英文版MUR6020NCT技术规格书REV1.0.pdf
21A 650V canal N Super Junction Power MOSFET DHSJ21N65W TO-247 DHSJ21N65W PARA-247 650 V 21A Donghai_DHSJ21N65W_Datesheet_V1.0.pdf

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