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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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F20N50/20N50B
100 V/1,5 mΩ/240 A N-MOSFET DSC018N10N TO-247 DSC018N10N TO-247 100V 240A Donghai_DSC018N10N_Datasheet_V1.0.pdf
40 A 1200 V Trenchstop-Bipolartransistor mit isoliertem Gate DGC40H120M2 TO-247 DGC40H120M2 TO-247 1200V 40A DGC40H120M2 – Datenblatt.pdf
100 V/2,9 mΩ/190 A N-MOSFET DSU035N10N3A TOLL DSU035N10N3A MAUT 100V 190A Donghai_DSU035N10N3A_Datasheet_V1.0.pdf
85 A 80 V N-Kanal-Verstärkungsmodus-Leistungs-MOSFET DH075N08 TO-220C DH075N08 TO-220C 80V 95A Donghai_DH075N08&DH075N08E_Datasheet_V2.0.pdf
100 A 68 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DHS031N07P DFN5*6 DHS031N07P DFN5X6 68V 100A Donghai_ DHS031N07P_DataSheet_V2.0 .pdf
N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET 10 A 700 V D10N70 TO-252B D10N70 TO-252B 700V 10A 英文版D10N70术规格书REV1.0.pdf
15A 600V Fast-Recovery-Diode MUR1560 TO-220-2L MUR1560 TO-220-2L 600V 15A 英文版MUR1560术规格书(1).pdf
10A 400V Fast-Recovery-Diode MUR1040CT TO-220C MUR1040CT TO-220C 400V 10A 英文版MUR1040CT术规格书.pdf
F7N70/B7N70/D7N70
F4N70/B4N70/D4N70
116 A 68 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DH070N06 TO-220C 60V 88A Gerätespezifikation DH070N06(2).pdf
8N65/F8N65
F20N65
2A 650V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET D2N65 TO-252B D2N65 TO-252B 650V 2A Download des Dokuments D2N65.pdf
30A 60V LOW VF SchottkyBarrierDiode MBR30R60CTS TO-220C MBR30R60CTS TO-220C 60V 30A MBR30R60CTS 技术规格书REV.1.0..pdf
50 A 650 V Trenchstop-Bipolartransistor mit isoliertem Gate G50T65LBBW TO-247 G50T65LBBW TO-247 650V 50A G50T65LBBW__datasheet(1)(1).pdf
36 A 1200 V N-Kanal-SIC-Leistungs-MOSFET DCCF080M120A2 TO-247-4L DCCF080M120A2 TO-247-4L 1200V 36A Gerätespezifikation DCC080M120A.pdf
20 A 650 V SiC-Schottky-Barrierediode DCCT20D65G4 TO-247-2L DCCT20D65G4 TO-247-2L 650V 20A Gerätespezifikation DCCT20D65G4.pdf
170 A 40 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DHS020N04P DFN5*6 DHS020N04P DFN5*6-8 40V 170A Gerätespezifikation DHS020N04P Rev.2.0.pdf

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