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-50A -40V P-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DH160P04D TO-252B

-50A -40V P-Kanal Enhancement Mode Leistungs-MOSFET
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-50A -40V P-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET


1 Beschreibung

Die Leistungs-Mosfets im P-Kanal-Anreicherungsmodus nutzten ein fortschrittliches Trench-Technologie-Design und sorgten für einen hervorragenden Rdson und eine niedrige Gate-Ladung. Was dem RoHS-Standard entspricht.


2 Funktionen

● Geringer Widerstand

● Niedrige Gate-Ladung

● Schnelles Umschalten

● Geringe Rückübertragungskapaziba25=● Geringe Rückübertragungskapazitäten 

● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest

● 100 % ΔVDS-Test


3 Anwendungen 

● Leistungsschaltanwendungen

● DC-DC-Wandler 

● Vollständige Brückenkontrolle


VDSS RDS(ein) (TYP) AUSWEIS 
-40V 12mΩ -50A



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