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-50a -40V P-Kanal-Verbesserungsmodus Power MOSFET DH160P04D TO-252B

-50a -40V P -Kanalverbesserungsmodus MOSFET
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-50a -40V P -Kanal -Verbesserungsmodus Power MOSFET


1 Beschreibung

Die MOSFETs für Verbesserungsmodus von P-Channel verwendeten fortschrittliche Gräbertechnologiedesign und bildeten eine hervorragende RDSON- und niedrige Gate-Ladung. Das entspricht dem ROHS -Standard.


2 Merkmale

● Niedrig des Widerstands

● Ladung mit niedriger Gate

● schnelles Umschalten

● Niedrige Umkehrtransferkapazität 

● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest

● 100% ΔVDS -Test


3 Anwendungen 

● Stromschaltanwendungen

● DC-DC-Konverter 

● Vollbrückenkontrolle


VDSS RDS (ON) (Typ) AUSWEIS 
-40V 12m Ω -50a



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