улучшения | |
---|---|
-40V | |
DH160P04D
WXDH
До 252b
-40V
-50a
-50A -40V P -канал режим улучшения мощности MOSFET
1 Описание
В режиме Power Mosfets режима P-канала использовались передовые технологии траншеи, обеспечивая отличную зарядку RDSON и низкий затвор. Который согласуется со стандартом ROHS.
2 функции
● Низкое сопротивление
● Зарядки с низким затвором
● Быстрое переключение
● Низкие емкости обратного переноса
● 100% тест на электроэнергию с одним импульсной лавиной
● Тест 100% ΔVDS
3 приложения
● Приложения переключения питания
● Преобразователи DC-DC
● Полное управление мостом
VDSS | RDS (ON) (тип) | ИДЕНТИФИКАТОР |
-40V | 12 МОм | -50a |
-50A -40V P -канал режим улучшения мощности MOSFET
1 Описание
В режиме Power Mosfets режима P-канала использовались передовые технологии траншеи, обеспечивая отличную зарядку RDSON и низкий затвор. Который согласуется со стандартом ROHS.
2 функции
● Низкое сопротивление
● Зарядки с низким затвором
● Быстрое переключение
● Низкие емкости обратного переноса
● 100% тест на электроэнергию с одним импульсной лавиной
● Тест 100% ΔVDS
3 приложения
● Приложения переключения питания
● Преобразователи DC-DC
● Полное управление мостом
VDSS | RDS (ON) (тип) | ИДЕНТИФИКАТОР |
-40V | 12 МОм | -50a |