-50A -40V Modo de mejora del canal P MOSFET de potencia DH160P04D TO-252B

-50A -40V MOSFET de potencia en modo de mejora del canal P

1 Descripción

Los mosfets de potencia del modo de mejora del canal P utilizaron un diseño de tecnología de trinchera avanzada, proporcionaron un Rdson excelente y una carga de puerta baja. Lo cual cumple con el estándar RoHS.

2 características

● Baja resistencia

● Cargo de puerta bajo

● Cambio rápido

● Bajas capacitancias de transferencia inversa. 

● Prueba de energía de avalancha de pulso único al 100%

● Prueba 100% ΔVDS

3 aplicaciones 

● Aplicaciones de conmutación de energía

● Convertidores CC-CC 

● Control total del puente

VDSS	RDS (activado) (TIPO)	IDENTIFICACIÓN
-40V	12mΩ	-50A