-50A -40V P-kanali laiendusrežiimi võimsus MOSFET DH160P04D TO-252B

-50A -40V P-kanali täiustusrežiimi võimsus MOSFET

1 Kirjeldus

P-kanali täiustusrežiimi võimsusmosfetid kasutasid täiustatud kaevikutehnoloogiat, pakkudes suurepärast Rdsoni ja madalat väravalaengut. Mis vastab RoHS standardile.

2 Omadused

● Madal takistus

● Värava madal laeng

● Kiire ümberlülitamine

● Madal pöördülekande mahtuvus 

● 100% ühe impulsi laviini energia test

● 100% ΔVDS test

3 Rakendused 

● Toitelülitusrakendused

● DC-DC muundurid 

● Täielik silla juhtimine

VDSS	RDS (sees) (TYP)	ID
-40 V	12 mΩ	-50A