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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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36 A 1200 V N-Kanal-SIC-Leistungs-MOSFET DCC080M120A TO-247-3L

36 A 1200 V N-Kanal-SIC-Leistungs-MOSFET
Verfügbarkeit:
Menge:

36 A 1200 V N-Kanal-SIC-Leistungs-MOSFET


1 Beschreibung 

Diese Produktfamilie bietet modernste Leistung. Es ist für Hochfrequenzanwendungen konzipiert, bei denen ein hoher Wirkungsgrad und eine hohe Zuverlässigkeit erforderlich sind. 


2 Funktionen

● Höhere Systemeffizienz

● Reduzierter Kühlbedarf

● Erhöhte Leistungsdichte 

● Erhöhte Systemschalthäufigkeit 


3 Anwendungen

● Netzteile. 

● Hochspannungs-DC/DC-Wandler. 

● Motorantriebe. 

● Schaltnetzteile 

● Anwendungen mit gepulster Leistung


VDSS  RDS(ein) (TYP) AUSWEIS 
1200V 80mΩ 36A


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