Наличие: | |
---|---|
Количество: | |
MUR3060NCT
ШХДХ
Диод быстрого восстановления 30 А, 600 В
1 Описание
Сверхбыстродействующие диоды на 30 А, 600 В. Они имеют низкое прямое падение напряжения и имеют плоскую, пассивированную нитридом кремния, ионно-имплантированную эпитаксиальную конструкцию.Эти устройства предназначены для использования в качестве диодов управления/ограничения энергии и выпрямителей в различных импульсных источниках питания и других устройствах переключения мощности.Их низкий накопленный заряд и сверхбыстрое восстановление с характеристиками мягкого восстановления минимизируют звон и электрический шум во многих цепях переключения мощности, тем самым уменьшая потери мощности в переключающем транзисторе.
2 особенности
Низкая потеря мощности,
высокая эффективность Низкое прямое напряжение,
высокая допустимая нагрузка по току Высокая импульсная мощность
Супер быстрое время восстановления
высокое напряжение
3 приложения
Импульсный источник питания
Схемы переключения мощности
Общее назначение
ВБР | VF(одиночный)(МАКС.) | ЕСЛИ(АВ)(одиночный) |
600В | 1,6 В | 15А |
30А 600В Диод быстрого восстановления
1 Описание
Сверхбыстродействующие диоды на 30 А, 600 В. Они имеют низкое прямое падение напряжения и имеют плоскую, пассивированную нитридом кремния, ионно-имплантированную эпитаксиальную конструкцию.Эти устройства предназначены для использования в качестве диодов управления/ограничения энергии и выпрямителей в различных импульсных источниках питания и других устройствах переключения мощности.Их низкий накопленный заряд и сверхбыстрое восстановление с характеристиками мягкого восстановления минимизируют звон и электрический шум во многих цепях переключения мощности, тем самым уменьшая потери мощности в переключающем транзисторе.
2 особенности
Низкая потеря мощности,
высокая эффективность Низкое прямое напряжение,
высокая допустимая нагрузка по току Высокая импульсная мощность
Супер быстрое время восстановления
высокое напряжение
3 приложения
Импульсный источник питания
Схемы переключения мощности
Общее назначение
ВБР | VF(одиночный)(МАКС.) | ЕСЛИ(АВ)(одиночный) |
600В | 1,6 В | 15А |
Компания Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd. была основана в декабре 2004 года и расположена по адресу № 88, Zhongtong East Road, Шуофан, район Синьу, город Уси, провинция Цзянсу.Он занимает площадь 15000м2.Уставный капитал составляет 81,5 миллиона юаней.Он имеет годовую производственную линию мощностью 500 миллионов де
Компания Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd., основанная в декабре 2004 года, расположена по адресу № 88, East Zhongtong Road, город Шуофан, район Синьу, город Уси, провинция Цзянсу.Это крупное высокотехнологичное предприятие площадью 15 000 квадратных метров и уставным капиталом в 81,50 миллиона юаней.
Компания Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd., основанная в декабре 2004 года, расположена по адресу № 88, East Zhongtong Road, город Шуофан, район Синьу, город Уси, провинция Цзянсу.Это крупное высокотехнологичное предприятие площадью 15 000 квадратных метров и уставным капиталом в 81,50 миллиона юаней.
Компания Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd., основанная в декабре 2004 года, расположена по адресу № 88, East Zhongtong Road, город Шуофан, район Синьу, город Уси, провинция Цзянсу.Это крупное высокотехнологичное предприятие площадью 15 000 квадратных метров и уставным капиталом в 81,50 миллиона юаней.
Компания Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd., основанная в декабре 2004 года, расположена по адресу № 88, East Zhongtong Road, город Шуофан, район Синьу, город Уси, провинция Цзянсу.Это крупное высокотехнологичное предприятие площадью 15 000 квадратных метров и уставным капиталом в 81,50 миллиона юаней.
Компания Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd., основанная в декабре 2004 года, расположена по адресу № 88, East Zhongtong Road, город Шуофан, район Синьу, город Уси, провинция Цзянсу.Это крупное высокотехнологичное предприятие площадью 15 000 квадратных метров и уставным капиталом в 81,50 миллиона юаней.