ворота
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Вы здесь: Дом » Продукция » МОСФЕТ » 400V-1500V N MOS » 10A 500V N-канальный режим улучшения мощности MOSFET F10N50 TO-220F

загрузка

Поделиться с:
Кнопка обмена Facebook
Кнопка обмена Twitter
Кнопка обмена строками
Кнопка обмена WeChat
Кнопка совместного использования LinkedIn
Pinterest кнопка совместного использования
Кнопка обмена WhatsApp
Кнопка обмена Sharethis

10A 500V N-канальный режим режима Power MOSFET F10N50 TO-220F

10A 500V N-канальный режим режима мощности мощности MOSFET
Доступность:
Количество:

10A 500V N-канальный режим режима мощности Power MOSFET


1 Описание

Эти N-канальные улучшенные VDMOSFETS получают с помощью самоопределенной плоской технологии, которая снижает потерю проводимости, повышает производительность переключения и повышает энергию лавины. Который согласуется со стандартом ROHS. TO-220F обеспечивает изоляционное напряжение, оцененное в 2000В среднеквадратичности от всех трех терминалов до внешнего радиатора. Серия TO-220F соответствует стандартам UL (File Ref: E252906). 


2 функции 

● Быстрое переключение 

● Улучшенная ESD улучшенная способность 

● Низкое сопротивление (rdson≤0,75 Ом) 

● Заряд с низким затвором (тип: 32NC) 

● Низкие емкости обратного переноса (тип: 8,4PF) 

● 100% тест на электроэнергию с одним импульсной лавиной 

● Тест 100% ΔVDS 


3 приложения 

● Используется в различных цепи переключения питания для миниатюризации системы и более высокой эффективности. 

● Цепь переключателя питания электронного балласта и адаптера.

VDSS  Rds (on) (тип) ИДЕНТИФИКАТОР 
500 В. 0,49 Ом 10а



Предыдущий: 
Следующий: 
  • Зарегистрируйтесь в нашей бюллетене
  • Будьте готовы к будущему,
    подпишитесь на нашу новостную рассылку, чтобы получить обновления прямо в ваш почтовый ящик