10A 500V N-Channel Mode Enhancement Power MOSFET F10N50 TO-220F

10A 500V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

1 Penerangan

Ini N-Channel yang dipertingkatkan vdmosfets, diperolehi oleh teknologi planar self-selaras yang mengurangkan kehilangan konduksi, meningkatkan prestasi beralih dan meningkatkan tenaga longsor. Yang sesuai dengan standard ROHS. TO-220F menyediakan voltan penebat yang dinilai pada 2000V RMS dari ketiga-tiga terminal ke heatsink luaran. Siri TO-220F mematuhi piawaian UL (File Ref: E252906). 

2 ciri 

● Pertukaran cepat 

● Keupayaan ESD yang lebih baik 

● Rendah pada rintangan (RDSON≤0.75Ω) 

● Caj Gate Rendah (typ: 32nc) 

● Kapasit pemindahan terbalik rendah (typ: 8.4pf) 

● Ujian tenaga Avalanche Pulse Single 100% 

● Ujian 100% Δvds 

3 aplikasi 

● Digunakan dalam pelbagai litar pensuisan kuasa untuk pengurangan sistem dan kecekapan yang lebih tinggi. 

● Litar suis kuasa balast elektron dan penyesuai.

VDSS	Rds (on) (typ)	Id
500V	0.49Ω	10a