10A 500V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET F10N50 TO-220F

10A 500V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET

1 Опис

Ці N-канальні покращені vdmosfet, отримані за самовирівняною планарною технологією, яка зменшує втрати провідності, покращує продуктивність перемикання та підвищує енергію лавини. Що відповідає стандарту RoHS. TO-220F забезпечує ізоляційну напругу 2000 В RMS від усіх трьох клем до зовнішнього радіатора. Серія TO-220F відповідає стандартам UL (посилання файлу: E252906). 

2 Особливості 

● Швидке перемикання 

● Покращені можливості ESD 

● Низький опір (Rdson≤0,75Ω) 

● Низький заряд затвора (тип: 32nC) 

● Низька ємність зворотного перенесення (тип: 8,4 пФ) 

● 100% одноімпульсне тестування енергії лавини 

● 100% тест ΔVDS 

3 Додатки 

● Використовується в різних схемах перемикання потужності для мініатюризації системи та підвищення ефективності. 

● Схема вимикача живлення електронного баласту та адаптера.

VDSS	RDS (увімкнено) (TYP)	ID
500В	0,49 Ом	10А