Modulo IGBT da 100A 1700v Half Bridge DGA100H170M2T 34MM

Modulo a mezzo bridge da 50A 1200V

1 Descrizione Questi transistor bipolari a gate isolati hanno utilizzato una progettazione avanzata di trincea e tecnologia di campo, ha fornito un'eccellente velocità di VCEAT e commutazione, bassa carica di gate. Che accorda con lo standard ROHS. 

2 caratteristiche 

● Tecnologia della trincea FS, coefficiente di temperatura positivo 

● Tensione di saturazione bassa: VCE (SAT), tip = 2,25 V @ IC = 100A e TJ = 25 ° C 

● Capacità di valanga estremamente migliorata 

3 applicazioni

 Saldatura 

 UPS 

 Inverter a tre leve 

 Amplificatore Drive Servo AC e DC