Modulo IGBT mezzo ponte 100A 1700V DGA100H170M2T 34mm

Modulo mezzo ponte 50A 1200V

1 Descrizione Questi transistor bipolari a gate isolato utilizzavano un design avanzato con tecnologia trench e Fieldstop, fornivano VCEsat e velocità di commutazione eccellenti, bassa carica di gate. Che è conforme allo standard RoHS. 

2 Caratteristiche 

● Tecnologia FS Trench, coefficiente di temperatura positivo 

● Bassa tensione di saturazione: VCE(sat), tipica = 2,25 V @ IC = 100 A e Tj = 25°C 

● Capacità valanghe estremamente migliorata 

3 applicazioni

 Saldatura 

 Gruppo di continuità 

 Inverter a tre livelli 

 Amplificatore servoazionamento CA e CC

Tipo	VCE	Circuito integrato	VCEsat,Tj=25℃	Tjop	Pacchetto
DGA100H170M2T	1700 V	100A (Tj=100℃)	2,25 V (tip.)	175 ℃	34MM