100a 1700V Half Bridge Modul IGBT DGA100H170M2T 34MM

50A 1200V Half Bridge Modul

1 Descriere Aceste tranzistor bipolar de poartă izolată a folosit proiectarea tehnologiei avansate de șanț și câmp de câmp, a furnizat o viteză excelentă de vcesat și de comutare, încărcare joasă a porții. Care este în conformitate cu standardul ROHS. 

2 caracteristici 

● Tehnologia șanțului FS, coeficientul de temperatură pozitiv 

● Tensiune de saturație scăzută: VCE (SAT), TYP = 2.25V @ IC = 100a și TJ = 25 ° C 

● Capacitate de avalanșă extrem de îmbunătățită 

3 aplicații

 Sudarea 

 UPS 

 Invertor cu trei elemente 

 Amplificator de acționare servo -ac și dc