بوابة
Jiangsu Donghai Semiconductor Co. ، Ltd
أنت هنا: بيت » منتجات » وحدة IGBT » بيم » 100A 1700V Half Bridge IGBT MODULE DGA100H170M2T 34MM

تحميل

شارك إلى:
زر مشاركة Facebook
زر مشاركة تويتر
زر مشاركة الخط
زر مشاركة WeChat
زر مشاركة LinkedIn
زر مشاركة بينتيريست
زر مشاركة WhatsApp
زر مشاركة Sharethis

100A 1700V Half Bridge IGBT Module DGA100H170M2T 34MM

استخدمت هذه الترانزستور الثنائي القطب المعزول تصميم الخندق المتقدم والتكنولوجيا الميدانية ، وتوفير سرعة VCESAT و STANDING SPEED ، وشحنة البوابة المنخفضة. الذي يتوافق مع معيار ROHS.
التوفر:
الكمية:
  • DGA100H170M2T

  • WXDH

  • 34mm

  • DGA100H170M2T-REV1.0.PDF

  • 1700V

  • 100A

50A 1200V Half Bridge Module

1 وصف هذه البوابة المعزولة ثنائي القطب الترانزستور استخدمت خندق متقدم وتصميم تقنية الميدان ، ووفرت VCESAT وسرعة التبديل ، شحنة البوابة المنخفضة. الذي يتوافق مع معيار ROHS. 


2 ميزات 

● تقنية FS Trench ، معامل درجة الحرارة الإيجابية 

● جهد التشبع المنخفض: VCE (SAT) ، TYP = 2.25V @ IC = 100A و TJ = 25 درجة مئوية 

● قدرة الانهيار المعززة للغاية 


3 تطبيقات

 اللحام 

 UPS 

 العاكس ثلاثي الساق 

 مكبر صوت محرك AC و DC


يكتب VCE IC vcesat ، tj = 25 ℃ tjop طَرد
DGA100H170M2T 1700V 100A (TJ = 100 ℃) 2.25V (TYP) 175 ℃ 34mm


سابق: 
التالي: 
  • اشترك في النشرة الإخبارية لدينا
  • استعد
    للتسجيل المستقبلي في النشرة الإخبارية الخاصة بنا للحصول على التحديثات مباشرة إلى صندوق الوارد الخاص بك