lango
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Uko hapa: Nyumbani 100A Bidhaa 1700V IGBT MODULI Nusu PIM » » » daraja IGBT moduli DGA100H170M2T 34mm

kupakia

Shiriki kwa:
kitufe cha kushiriki facebook
kitufe cha kushiriki twitter
kitufe cha kushiriki mstari
kitufe cha kushiriki wechat
kitufe cha kushiriki kilichounganishwa
kitufe cha kushiriki pinterest
kitufe cha kushiriki whatsapp
Shiriki kitufe hiki cha kushiriki

100A 1700V Nusu daraja moduli IGBT DGA100H170M2T 34mm

Transistor ya Lango Lililohamishwa la Bipolar ilitumia mfereji wa hali ya juu na muundo wa teknolojia ya Fieldstop, ilitoa VCEsat bora na kasi ya kubadili, malipo ya chini ya lango. Ambayo inalingana na kiwango cha RoHS.
Upatikanaji:
Kiasi:

50A 1200V Moduli ya daraja la nusu

1 Maelezo Haya ya Lango Lililowekwa Maboksi Transistor ya Bipolar ilitumia mfereji wa hali ya juu na muundo wa teknolojia ya Fieldstop, ilitoa VCEsat bora na kasi ya kubadili, malipo ya chini ya lango. Ambayo inalingana na kiwango cha RoHS. 


2 Sifa 

● Teknolojia ya FS Trench, mgawo chanya wa halijoto 

● Voltage ya chini ya kueneza: VCE(ameketi), chapa = 2.25V @ IC =100A na Tj = 25°C 

● Uwezo wa banguko ulioimarishwa sana 


3 Maombi

 Kulehemu 

 UPS 

 Kibadilishaji cha umeme cha ngazi tatu 

 AC na DC servo drive amplifier


Aina VCE Ic VCEsat,Tj=25℃ Tjop Kifurushi
DGA100H170M2T 1700V 100A (Tj=100℃) 2.25V (Aina) 175 ℃ 34 mm


Iliyotangulia: 
Inayofuata: 
  • Jisajili kwa jarida letu
  • jitayarishe kwa siku zijazo
    jisajili kwa jarida letu ili kupata sasisho moja kwa moja kwenye kikasha chako