100A 1700V Half bridge IGBT module DGA100H170M2T 34mm

50A 1200V ໂມດູນຂົວເຄິ່ງ

1 ລາຍລະອຽດເຫຼົ່ານີ້ Insulated Gate Transistor ໄດ້ນໍາໃຊ້ trench ກ້າວຫນ້າທາງດ້ານແລະການອອກແບບເຕັກໂນໂລຊີ Fieldstop, ສະຫນອງ VCEsat ທີ່ດີເລີດແລະຄວາມໄວສະຫຼັບ, ຄ່າບໍລິການປະຕູຕ່ໍາ. ເຊິ່ງສອດຄ່ອງກັບມາດຕະຖານ RoHS. 

2 ຄຸນສົມບັດ 

● FS Trench Technology, ຄ່າສໍາປະສິດອຸນຫະພູມບວກ 

● ແຮງດັນຄວາມອີ່ມຕົວຕໍ່າ: VCE(sat), typ = 2.25V @ IC = 100A ແລະ Tj = 25°C 

● ຄວາມສາມາດຂອງຫິມະຫິມະຕົກທີ່ດີຂຶ້ນ 

3 ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ

 ການເຊື່ອມໂລຫະ 

 UPS 

 Inverter ສາມລະດັບ 

 ເຄື່ອງຂະຫຍາຍສຽງ AC ແລະ DC servo drive

ປະເພດ	VCE	ໄອຄ	VCEsat,Tj=25℃	Tjop	ຊຸດ
DGA100H170M2T	1700V	100A (Tj=100℃)	2.25V (ປະເພດ)	175 ℃	34ມມ