100A 1700V Gjysmë urë IGBT moduli DGA100H170M2T 34mm

Moduli i gjysmë urës 50A 1200V

1 Përshkrimi Ky transistor bipolar i portës së izoluar përdori dizajn të avancuar të kanalit dhe teknologjisë Fieldstop, siguroi VCEsat dhe shpejtësi të shkëlqyer të ndërrimit, ngarkesë të ulët të portës. Që përputhet me standardin RoHS. 

2 Karakteristikat 

● Teknologjia FS Trench, Koeficienti pozitiv i temperaturës 

● Tension i ulët i ngopjes: VCE(sat), tip = 2.25V @ IC =100A dhe Tj = 25°C 

● Aftësia jashtëzakonisht e përmirësuar e ortekëve 

3 Aplikacionet

 Saldimi 

 UPS 

 Inverter me tre nivele 

 Përforcues i servo drive AC dhe DC

Lloji	VCE	Ic	VCEsat,Tj=25℃	Tjop	Paketa
DGA100H170M2T	1700 V	100A (Tj=100℃)	2,25 V (Lloji)	175 ℃	34 mm