100A 1700V MODULE IGBT HALF BRIDGE IGBT DGA100H170M2T 34 mm

50A 1200V Modul urë gjysmë

1 Përshkrimi Këto transistor bipolar të izoluar të portës, të përdorura Hendekun e Avancuar të Teknologjisë dhe Teknologjisë së Fushës, siguruan shpejtësinë e shkëlqyeshme të VCESAT dhe Switch, ngarkesë të ulët të portës. Që përputhet me standardin ROHS. 

2 tipare 

● FS Teknologjia e llogoreve, koeficienti pozitiv i temperaturës 

Tension Tensioni i ulët i ngopjes: VCE (SAT), Tipi = 2.25V @ IC = 100A dhe TJ = 25 ° C 

● Aftësi jashtëzakonisht e zgjeruar e ortekut 

3 aplikime

 Saldimi 

 UPS 

Inver Inverter me tre nivele 

 Amplifikuesi AC dhe DC Servo Drive