100А 1700 В жарты көпір IGBT модулі DGA100H170M2T 34 мм

50А 1200 В жарты көпір модулі

1 Сипаттама Бұл оқшауланған қақпаның биполярлы транзисторы кеңейтілген траншея мен Fieldstop технологиясының дизайнын қолданды, тамаша VCEsat және коммутация жылдамдығын, төмен зарядты қамтамасыз етті. Бұл RoHS стандартына сәйкес келеді. 

2 Мүмкіндіктер 

● FS Trench Technology, Оң температура коэффициенті 

● Төмен қанықтыру кернеуі: VCE(сат), тип = 2,25В @ IC =100A және Tj = 25°C 

● Қар көшкінін жою мүмкіндігі өте жоғары 

3 Қолданбалар

 Дәнекерлеу 

 UPS 

 Үш деңгейлі инвертор 

 айнымалы және тұрақты ток сервожетегін күшейткіш

Түр	VCE	Мен түсінемін	VCEsat, Tj=25℃	Tjop	Пакет
DGA100H170M2T	1700В	100А (Tj=100℃)	2,25 В (типі)	175℃	34мм